一种使磁控溅射MoS2薄膜在干燥大气中具有超滑特性的方法

    公开(公告)号:CN118064860A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410434005.9

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本发明提供了一种使磁控溅射MoS2薄膜在干燥大气中具有超滑特性的方法,属于摩擦学技术领域。磁控溅射制备出的MoS2薄膜片层结构较长,在真空环境下,这种片状结构在层间较弱的范德华力作用下易于滑动,有利于实现超滑;但是在大气条件下,空气中的氧原子和水蒸气会与MoS2边缘处和结构内部缺陷位点处的悬空S键结合,使MoS2薄膜片层结构的局部应力区受阻,在滑移过程中作用力增强、摩擦力增大,从而不易实现超滑。本发明通过质子辐照对磁控溅射MoS2膜进行整体改性,实现其在干燥大气环境下的超滑,并延长其使用寿命。

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