公开(公告)号：CN105543788A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510949156.9

申请日：2015-12-18

Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所

Inventor： 郝俊英 ,  孔良桂 ,  徐书生 ,  刘维民

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C14/025 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464

Abstract: 本发明公开了一种铁掺杂二硫化钨复合薄膜，该复合薄膜通过以下方法制备得到：1）采用超声清洗法清洗基片；2）用氩等离子体溅射清洗基片；3）开启中频电源，在中频电流为2.00 A，氩气流量为80~90 sccm，工作压强为2.50~3.00 Pa，偏压为-200~-250 V，靶材与基片距离为8.00cm~8.50 cm的条件下溅射孪生Ti靶，沉积厚度为20~250 nm的纯Ti过渡层；4）关闭上述中频电源，继续通氩气于真空室中，在工作压强为1.50~2.50 Pa的条件下，保持脉冲直流偏压为-200~-250 V，开启射频电源，在电场作用下产生紫红色辉光，生成含有Ar的等离子体，继而溅射由Fe和WS2组成的复合靶材，溅射时间为25~90 min。本发明所述薄膜具有十分优异的摩擦学性能，结构致密，与基底材料的结合牢固，具有良好的应用前景。