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公开(公告)号：CN120044750A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510269782.7
申请日：2025-03-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩模表面抗粘处理方法及掩模版复制方法，涉及微纳加工技术领域，掩模表面抗粘处理方法包括：配制形成抗粘层所需的稀释溶液；对掩模表面进行处理，使掩模表面生成亲水性基团；在生成有亲水性基团的掩模表面涂覆稀释溶液，形成抗粘层；对表面形成有抗粘层的掩模进行后处理，使抗粘层与掩模表面之间形成化学键，得到抗粘掩模。
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公开(公告)号：CN120029012A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510502671.6
申请日：2025-04-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法及掩模版，涉及半导体制造技术领域。电子束邻近效应和刻蚀负载效应联合校正方法包括：基于电子束邻近效应对待校正版图进行校正，得到第一校正版图，第一校正版图为对待校正版图补偿电子束邻近效应导致的第一轮廓偏移后得到的版图；基于刻蚀负载效应对待校正版图进行校正，得到第二校正版图，第二校正版图为对待校正版图补偿刻蚀负载效应导致的第二轮廓偏移后得到的版图；对第一校正版图和第二校正版图作交集处理，得到联合校正版图；基于联合校正版图制备掩模版，掩模版的掩模图形中每个图形元素的尺寸在预设尺寸范围内。
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公开(公告)号：CN119882342A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510226404.0
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法，涉及光刻技术领域，掩模版吸收层制备方法包括：获得掩模基片；在掩模基片表面制备过渡膜层，在过渡膜层表面制备实际吸收层；其中，过渡膜层用于抵消实际吸收层对掩模基片表面的应力，以控制掩模基片表面的形变量和/或面形PV。
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公开(公告)号：CN117539120A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311644925.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩模版图的圆化失真修正方法及装置、掩模版及加工方法，可以应用于光刻技术领域。该方法包括：模拟掩模版图在光刻工艺中的光场分布，得到光场分布仿真结果，所述掩模版图具有至少一个垂直拐角；基于所述光场分布仿真结果，在所述掩模版图中的至少一个垂直拐角处添加衬线结构，得到待确认的掩模版图；对所述待确认的掩模版图进行光学邻近效应修正验证，得到修正完成的掩模版图。本公开可改善光刻过程中的圆化失真现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119805851A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510226406.X
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法，涉及光刻技术领域，掩模版吸收层制备方法包括：获得掩模基片；采用离子束沉积在掩模基片表面制备实际吸收层，其中，通过改变离子束沉积时所述掩模基片与靶材的相对角度，以调节制备实际吸收层所需靶粒子的入射方向与垂直于掩模基片表面方向之间的倾角大小，来调控实际吸收层的应力大小，以控制掩模基片表面的形变量和/或面形PV。
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公开(公告)号：CN116047856A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211588556.8
申请日：2022-12-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种具有改善电子束光刻邻近效应功能的掩模版及其制备方法，该掩模版包括：衬底(1)；掩模吸收层(2)，由低原子序数材料构成，以降低电子束光刻过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中低原子序数材料原子核碰撞的概率，改善电子束光刻过程中的光学邻近效应。本公开的掩模版通过选择由低原子序数材料构成掩模吸收层(2)，降低了电子束入射过程中入射电子束(4)与掩模吸收层(2)中元素原子核碰撞的概率，从而减少了背散射电子返回电子束光刻胶层(3)的概率，由此改善了电子束光刻过程中的光学邻近效应。
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公开(公告)号：CN115440585A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211076513.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本公开提供了一种使用离子束刻蚀加工金属纳米结构的方法，该方法包括：S1，将待加工样品置于离子束刻蚀设备中，待加工样品自下而上依次包括衬底、金属膜层和光刻胶纳米图形层，光刻胶纳米图形层暴露出金属膜层的刻蚀区；S2，使用离子束刻蚀金属膜层的刻蚀区，刻蚀的时间为第一时长t1；S3，间歇离子束刻蚀，间歇的时间为第二时长t2；S4，重复S2～S3，直至刻蚀深度达到目标厚度；S5，去除光刻胶纳米图形层，得到目标金属纳米结构。本公开的方法能够提高离子束的准直性、降低由于离子束刻蚀所引起的温度升高效应，从而提高刻蚀精度和刻蚀图形的质量。
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公开(公告)号：CN119805849A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510226409.3
申请日：2025-02-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种亚分辨辅助图形修正掩模版及制备方法，涉及光刻技术领域，包括：基于超分辨光刻系统的光路结构，构建适用于超分辨光刻原理光学模拟的计算模型，计算模型中掩模版的图案包括离散孔和密集孔阵列；基于计算模型，模拟超分辨光刻，分别对离散孔和密集孔阵列进行一次光场模拟；基于各自的一次光场分布结果，进行离散孔的亚分辨辅助图形添加并进行二次光场模拟；基于各自的二次光场分布结果进行离散孔的亚分辨辅助图形优化并进行三次光场模拟，迭代优化直至添加亚分辨辅助图形的离散孔的光场分布与密集孔阵列的光场分布相契合；确定亚分辨辅助图形修正掩模版的修正后图案；基于修正后图案制备亚分辨辅助图形修正掩模版。
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公开(公告)号：CN119200321A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411664465.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种对比度优化的抗污染型介质填充掩模版及其制备方法，该制备方法包括：S1，根据掩模条件进行仿真计算，得到优化的超透镜关键膜层参数；S2，根据优化的超透镜关键膜层参数，以不同折射率介质模拟填充掩模版的图形结构并进行模拟仿真，得到对比度曲线；S3，根据对比度曲线确定适应实际工作环境的对比度优化填充介质；S4，根据掩模条件制备掩模版的图形结构，并向图形结构中填充S3中确定的填充介质；S5，对S4所得的掩模版依次进行退火、平坦化处理，得到对比度优化的抗污染型介质填充掩模版。本公开通过在掩模版狭缝内填充介质材料，可以有效地提高掩模版的抗污染性能，同时也能提高光刻对比度，实现更高分辨率的微纳结构制备。
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