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发明公开
一种温度与红外谱段发射率同时可调的超结构及其设计方法审中-实审

公开(公告)号：CN115377693A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210914308.1

申请日：2022-08-01

Applicant: 中国科学院光电技术研究所

Inventor： 罗先刚 , 黄成 , 黄兢凯 , 袁黎明 , 王月塘 , 计琛 , 廖建明

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明提供一种温度与红外谱段发射率同时可调的超结构及其设计方法，超结构包含：热电结构和热致变色薄膜；热电结构，通过半导体热电效应实现超结构温度的调控；热致变色薄膜的热致相变材料在超结构温度变化过程中能发生相变。通过对加载在热电结构上的电流来改变热致变色薄膜的温度，使其中热致相变材料的光学参数发生变化，从而改变整个结构的表面发射率。因此，能够实现温度、红外发射率同时动态可调的效果。此外，该超结构制作工艺简单、制作成本低、使用方便，为发展宽范围红外辐射动态调控的电磁材料提供一种有效的技术途径。

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