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公开(公告)号：CN116026456A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211586119.2
申请日：2022-12-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种快速淬灭与复位电路，该电路首先采用高侧淬灭子电路和低侧淬灭子电路同时对雪崩二极管的雪崩电流进行快速淬灭，然后再通过低侧复位子电路对雪崩二极管阳极电压进行快速复位，最后通过高侧复位电路对雪崩二极管阴极电压进行复位，使雪崩二极管恢复到可进行下一次产生雪崩电流的准备状态，接收下一次单光子信号。本发明旨在解决远距离激光雷达测距中要求SPAD高探测效率和低死时间之间相互制约问题，相比传统淬灭方法的雪崩二极管探测效率提高了25％左右，而死时间则降低了16％左右；并通过设计高侧复位子电路，可有效避免雪崩二极管由于雪崩电流过大引起的雪崩二极管损毁的问题。主要应用于采用雪崩二极管进行高灵敏度单光子探测场合。
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公开(公告)号：CN112312124B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011128224.2
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种经过线性修正的EMCCD倍增增益测量方法，包括：a)给待测EMCCD相机、积分球上电，使相机工作状态稳定；b)关闭倍增增益，采集不同曝光时间下相机的多组明场、暗场图像；c)获取EMCCD相机在指定曝光时间与增益电压下的明场、暗场均值图像，并计算明、暗场均值图像之差；d)对明场、暗场均值图像之差进行线性修正后，得到施加增益修正后的明场、暗场均值图像之差；e)曝光时间不变，关闭增益，同样的方法得到不施加增益修正后的明场、暗场均值图像之差；f)施加增益经过修正后的明、暗场均值图像之差与不施加增益修正后的明、暗场均值图像之差的比值即为当前增益电压对应的真实增益倍数。该方法能够消除EMCCD光响应非均匀性的影响，更加精确地计算增益。
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公开(公告)号：CN104864851B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510290560.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01C11/12
Abstract: 本发明公开了一种基于矩形周长和面积加权约束的单目视觉位姿测量方法，步骤包括：步骤(1)、获取矩形目标图像；步骤(2)、提取图像中矩形目标特征点；步骤(3)、建立矩形周长和面积特征加权约束关系；步骤(4)、基于矩形周长和面积特征约束关系解算位姿。该方法运用图像识别手段，以目标矩形周长和面积几何特征建立加权误差约束关系，提高了目标单目视觉位姿测量精度。
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公开(公告)号：CN103873790A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410116290.6
申请日：2014-03-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明一种高压方波驱动信号发生装置，该装置包括通用计算机、单片机、现场可编程逻辑门阵列、驱动器、高压可调电源、上、下钳位电路、P型、N型DMOS管、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻，底部电源，驱动器将现场可编程逻辑门阵列输出的方波驱动信号源进行幅度、驱动能力放大，并通过上、下钳位电路将放大后信号的顶部和信号的底部分别钳位到高压可控电源和底部电源后去控制一对超高速DMOS对管开启和关断，从而产生频率在0-20MHz内控制的高压方波信号。本发明使电子倍增型CCD60的帧频达到1000Hz以上，相比同类相机频率提高1倍，用于驱动电子倍增电荷耦合器件高频、高压电子增益寄存器产生电子增益。
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公开(公告)号：CN112312125A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011129226.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种多抽头EMCCD非均匀性综合校正方法，所述方法的非均匀性对象包括相机的本底非均匀性、光响应非均匀性和倍增增益非均匀性。所述方法可大致分为四个步骤，分别为：步骤一、本底非均匀性校正参数的确定；步骤二、光响应线性非均匀性校正参数的确定；步骤三、倍增增益非均匀性校正参数的确定；步骤四、三类非均匀性校正参数的综合校正运算。本发明提出的多抽头EMCCD非均匀性综合校正方法能够大幅针对性消除前述三类非均匀性对EMCCD输出图像带来的影响，提高EMCCD输出图像的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108180672B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201711327634.8
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: F25B21/02
Abstract: 本发明公开了一种EMCCD探测器的真空封装杜瓦，由半导体制冷器、玻璃窗口、可伐上壳、可伐底座、EMCCD、防辐射屏、吸气剂、铜散热底座和电极引线组成。玻璃窗口通过铟密封与可伐上壳进行焊接；铜散热底座与可伐底座采用钎焊；电极引线与底座采用玻封；器件通过清洗和高温烘烤进行除气后组装到可伐底座上；然后将可伐上壳与底座放置在真空室内并分开一定的距离，对真空室进行抽真空，排气一段时间；排气结束后，通过激光焊接将上盖与底座进行焊接。该杜瓦具有结构简单，漏率低的优点，同样适用于制冷型科学级CCD探测器的真空封装。
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公开(公告)号：CN108087555A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711329840.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: F16J15/28
Abstract: 本发明公开了一种制冷CCD真空杜瓦密封装置，包括底座、上盖、螺杆、弹簧、橡胶圈及杜瓦。将真空计和真空泵连接到底座上；杜瓦内部器件组装好后，将杜瓦底座和杜瓦上盖放置在底座中，用弹簧将杜瓦上盖撑起使之与杜瓦底座之间留有一定的间隙；螺杆与上盖用橡胶圈设计为动密封，然后用橡胶圈将上盖与底座进行密封；用真空泵将腔体抽真空，预排气一段时间后通过螺杆拧紧杜瓦上的紧固螺栓，以此用银丝将杜瓦上盖与杜瓦底座进行密封，从而保证杜瓦内部的高真空度。该密封方式具有结构简单、漏率低且可拆卸的优点。该系统适用于制冷型CCD相机制冷领域。
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公开(公告)号：CN104880178B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510290582.6
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01C11/04
Abstract: 本发明公开了一种基于四面体边长和体积加权约束的单目视觉位姿测量方法，该方法的步骤包括：步骤(1)、获取四面体目标图像；步骤(2)、提取图像中四面体目标特征点；步骤(3)、建立四面体体积和边长特征加权约束关系；步骤(4)、基于四面体体积边长加权约束关系解算位姿。该方法运用图像识别手段，以四面体体积和边长特征建立加权误差约束关系，提高了目标单目视觉位姿测量精度。
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公开(公告)号：CN103872985B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410124087.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种高压正弦波驱动信号发生装置，包括通用计算机、单片机、现场可编程逻辑门阵列、数字频率合成器、变压器、第一低通滤波器、偏置电压发生器、信号放大模块、偏置电源、高压电源、高压放大模块、钳位电路、第二低通滤波器；采用两级信号放大模块、高压放大模块级联方式将数字频率合成器输出的幅度可控正弦波信号放大后通过底部钳位电路进行钳位得到高压正弦波信号，并在直接数字频率合成器后通过第一低通滤波器和在信号钳位后通过第二低通滤波器去除噪声。本发明简化正弦波的产生方法，使电子倍增电荷耦合器件CCD60的帧频达到1000Hz以上，相比国外同类相机频率提高1倍，用于电荷耦合器件的高频、高压增益驱动产生电子增益。
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公开(公告)号：CN103873785A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410116241.2
申请日：2014-03-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明是一种低噪声电荷耦合器件前端模拟视频信号预处理装置，该装置包括：第一、第二射极跟随器分别连接电荷耦合器件的模拟输出管脚端和参考地管脚端连接，以差分方式输出电荷耦合器件模拟信号和参考地电压信号；差分放大电路连接第一、第二射极跟随器，输出差分信号；滤波耦合电路与差分放大电路连接，输出滤波后的差分信号；电荷耦合器件专用处理器电路与滤波耦合电路连接，用于输出数字图像。本发明解决电荷耦合器件由于高频、大幅度驱动信号的电磁干扰串入前端模拟视频输出信号中引起较大串扰噪声的问题，相比传统电荷耦合器件前端模拟信号预处理方法噪声可降低50％以上，应用于电荷耦合器件的前端模拟视频信号预处理过程。
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