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公开(公告)号：CN106290432A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510289400.3
申请日：2015-05-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海如海光电科技有限公司
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明涉及一种低温X射线诱导热释光光谱测量装置，所述测量装置包括X射线源、温度控制单元、设置于温度控制单元内的样品台、光收集系统、以及光栅光谱仪，所述温度控制单元包括保温壳体、以及设置于保温壳体内的温度传感器和加热制冷器。本发明提供的X-Ray诱导热释光光谱测量装置，引入了光栅光谱仪，该光栅光谱仪采用反射式闪耀平场光栅实现对光信号的色散，采用图像传感器来一次性捕获全光谱波长信号光光谱，获取光谱的时间周期很短（能达到1ms），能实现光谱的实时采集，光谱重复性好，并能利用光信号的一些瞬态特征，还能减少装置整体体积、降低装置整体功耗。
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公开(公告)号：CN116676667A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310623522.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚，包括：坩埚底盘，所述坩埚底盘具有位于径向内侧的底盘内环、位于径向外侧的底盘外环和连接所述底盘内环与所述底盘外环的下自适应层；坩埚盖，所述坩埚盖具有位于径向内侧的盖内环、位于径向外侧的盖外环和连接所述盖内环与所述盖外环的上自适应层；坩埚内筒，所述坩埚内筒为由多个分瓣结构拼接组成，可活动地垂直设于所述底盘内环与所述盖内环之间；且所述坩埚内筒可沿所述内筒的径向膨胀和收缩；以及导向结构，所述导向结构用于限定所述坩埚内筒膨胀和收缩的方向。本发明能够解决晶体在退火过程中不能自由膨胀收缩而使晶体内的应力无法释放的问题。
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公开(公告)号：CN116479526A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310389925.9
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本申请涉及一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法，所述装置包括真空腔体、升降机构、设置在所述真空腔体的多个保温机构，每个所述保温机构内设有发热器、坩埚和坩埚杆，其中，所述多个保温机构用于形成容置所述氟化物晶体的多个生长工位，所述保温机构内的发热器独立为对应保温机构内的坩埚加热；所述坩埚顺序划分为坩埚上部、坩埚中部和坩埚下部，其中坩埚上部为储料区，坩埚中部为板状结构的晶体生长区，坩埚下部为与坩埚杆固定连接的籽晶槽；所述坩埚杆顺序穿过所述保温机构和所述真空腔体的底部，多个所述坩埚杆的底部与同一升降机构固定连接。
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公开(公告)号：CN116200818A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310124558.X
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法，包括：将至少两种具有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶光纤的一次正向生长，重复N次直至每种掺杂离子的单晶光纤生长至所需长度；将所得熔接好的具有不同掺杂离子浓度的单晶光纤依次进行一次逆向生长、二次正向生长和二次逆向生长，得到具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤。
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公开(公告)号：CN116184562A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310124559.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：(1)选择具有均匀掺杂离子浓度为n at％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；(2)采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；(3)将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；(4)将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；(5)二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115852482A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211675153.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高氟化钙晶体355nm激光损伤阈值的方法，具体涉及一种通过惰性稀土离子和镧系离子共掺提高氟化钙晶体355nm激光损伤阈值的方法。选用CaF2粉末作为原料，选用YF3和LaF3作为掺杂源，采用坩埚下降法或温度梯度法制备氟化钙晶体过程中，通过掺杂总量不超过2.0at.％的YF3和LaF3共掺以提高氟化钙晶体的损伤阈值。
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公开(公告)号：CN111533445B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010393268.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 奕瑞新材料科技(太仓)有限公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
Abstract: 本发明属于新材料领域，具体涉及Tb3Al5O12磁光材料及制备方法，包括Tb3Al5O12磁光玻璃和Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明的Tb3Al5O12磁光玻璃通过配料、混料、干燥与过筛、干压、烧结、熔制等步骤制备得到。在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上进一步进行热处理可制得Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明通过一套工艺流程既能制备Tb3Al5O12磁光玻璃又能制备Tb3Al5O12磁光陶瓷，制备效率高。本发明制得的Tb3Al5O12磁光玻璃在高温熔制阶段熔体不与容器接触，不引入杂质，制得的Tb3Al5O12磁光玻璃纯度高，品质好。本发明可以在不添加B2O3和SiO2等玻璃网络形成体的条件下避免Tb3Al5O12析晶，制得固定化学计量比的高纯度的高Tb含量的Tb3Al5O12磁光玻璃。本发明在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上通过精细的热处理工艺可以进一步制得常规方法不易制得的Tb3Al5O12磁光陶瓷。
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公开(公告)号：CN107619273B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201610554361.X
申请日：2016-07-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种非水基凝胶注模成型制备铽铝石榴石基磁光透明陶瓷的方法，包括：按照化学计量比称量Tb4O7、Al2O3、A的氧化物以及B的氧化物，均匀混合后得原料粉体，或者以湿化学法合成的Tb3‑xAxAl5‑yByO12粉体为原料粉体；在所得原料粉体中加入非水溶剂、固化剂和环氧树脂，经球磨混合后得到陶瓷浆料，其中所述非水溶剂为乙醇、甲醇、丙醇、乙二醇、丙酮、丁酮、环己烷、十二烷中的至少一种；将所得陶瓷浆料真空除气后注入模具，经固化、干燥、脱模、排胶处理后在1200～1750℃下烧结1～50小时。本发明采用非水溶剂来制备陶瓷浆料，固相含量高达60vol%，浆料性能稳定并且具有较好的流动性。
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公开(公告)号：CN107540367B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201610485929.7
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种非水基凝胶注模成型制备石榴石基透明陶瓷的方法，包括：按照化学计量比称量Y2O3、Lu2O3、Gd2O3、Al2O3、Ga2O3以及RE的氧化物，均匀混合后得原料粉体，或者以液相化学法合成的(Y1‑a‑b‑xLuaGdbREx)3(Al1‑c‑dSccGad)5O12粉体为原料粉体；在所得原料粉体中加入非水溶剂、固化剂和环氧树脂，经球磨混合或超声分散混合后得到陶瓷浆料，其中所述非水溶剂为乙醇、甲醇、丙醇、乙二醇、丙酮、丁酮、环己烷、和十二烷中的至少一种；将所得陶瓷浆料真空除气后注入模具，经固化、干燥、脱模、排胶处理后在800‑1900℃下烧结5分钟～60小时，得到所述石榴石基透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN105800663B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410853580.9
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种硫氧化钆闪烁陶瓷的热压反应烧结方法，包括：将Gd2O2SO4与还原剂粉末均匀混合后得到原料粉末，将原料粉末进行分段烧结，其中，还原剂包括活性炭、石墨烯、焦炭、木炭，分段烧结包括在820‑950℃、10—75MPa下进行第一阶段烧结、以及1000‑1500℃、30‑150MPa下进行第二阶段烧结，烧结过程中保持惰性气氛、还原性气氛或真空。
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