公开(公告)号：CN102115666B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910247864.2

申请日：2009-12-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 张芳 ,  王士维 ,  袁贤阳 ,  李军 ,  周国红 ,  张昭

IPC: C09K11/64

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 本发明涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1-10％，掺杂稀土元素Yb的氧化物的质量百分浓度为0.5-5％。具体包括a)氮氧化铝基质的制备；b)荧光粉粉体的制备；c)白光光源的合成。本发明提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的AlON，在980nm波长激光激发下发射出白光。

公开(公告)号：CN106342083B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010049105.8

申请日：2010-06-28

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 袁贤阳 ,  张芳 ,  刘学建 ,  李军 ,  王士维

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/58

Abstract: 本发明涉及一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法。步骤如下：(1)制备一种含有由Y2O3或其它稀土氧化物和SiO2组成的烧结助剂的氧氮化铝粉体；(2)将得到的粉体过筛、压片成型并冷等静压；(3)将制备的素坯放入碳管炉中并抽真空后充入高纯氮气。将炉温按5～25℃/min的速率升温至1750～1900℃，并保温4～48小时。本发明制备温度低，很好地降低了电力和炉子的损耗，相应地在很大程度上降低了氧氮化铝透明陶瓷的制备成本，制备出氧氮化铝透明陶瓷透过率在45％左右。

公开(公告)号：CN101928150A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910053569.3

申请日：2009-06-22

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 袁贤阳 ,  刘学建 ,  张芳 ,  王士维 ,  周国红 ,  李军

IPC: C04B35/626 ,  C04B35/58

Abstract: 本发明涉及一种制备γ-氧氮化铝透明陶瓷粉末的方法。步骤如下：1)按金属铝粉30～38％，γ-氧化铝或这种氧化铝的前躯体或α-氧化铝粉末62～70％称量、混合；2)将混合物置于氧化铝或氮化硼坩埚中，将坩埚置于碳管炉中；3)通入流动的不小于1个大气压的高纯氮气；在1200～1500℃保温时间为1～4小时，得到氮化铝和α-氧化铝混合粉体；4)将此混合粉体球磨混合、干燥；5)将干燥后的混合粉体在1600～1850℃保温时间为1～6小时，得γ-氧氮化铝粉末；6)球磨，得产品。该方法简单而易操作、对设备要求低、所用原料价格低廉，所得到的γ-氧氮化铝粉体分散均匀，不存在残余碳的问题。

公开(公告)号：CN105837223A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610289195.5

申请日：2016-05-04

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 茅茜茜 ,  李军 ,  张海龙 ,  王士维

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明涉及一种合成氮化铝粉体的方法，包括以下步骤：制备均匀分布有铝源和碳源的块状多孔前驱体，所述块状多孔前驱体具有由表面通孔以及至少部分与所述表面通孔联通的内部通孔形成的连通孔结构；以及将所得的块状多孔前驱体在氮气氛下进行碳热还原反应后除碳，即得到氮化铝粉体。本发明的制备工艺简单，无苛刻的操作条件，合成的氮化铝粉体粒径、形貌可控、金属杂质少、烧结活性高，可用于制备高热导氮化铝陶瓷。

公开(公告)号：CN102115666A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910247864.2

申请日：2009-12-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 张芳 ,  王士维 ,  袁贤阳 ,  李军 ,  周国红 ,  张昭

IPC: C09K11/64

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 本发明涉及一种激光激发稀土掺杂氮氧化铝荧光粉合成白光光源的方法，其特征在于以氮氧化铝为基质，掺杂稀土元素制成不同掺杂的荧光粉，最后将合成的两种以上荧光粉混合、干燥后制成在950nm的半导体激光器激发下发射出白光；所述的掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm的氧化物质量百分浓度为1-10％，掺杂稀土元素Yb的氧化物的质量百分浓度为0.5-5％。具体包括a)氮氧化铝基质的制备；b)荧光粉粉体的制备；c)白光光源的合成。本发明提供的荧光粉具有较强的发光强度，较传统的氟化物稳定，经掺杂后的AlON，在980nm波长激光激发下发射出白光。