-
公开(公告)号：CN101407940B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810040954.X
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法，所述的生长装置包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7)，其中炉体(1)竖直放置，样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动，样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上；传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接，并带动炉体(1)沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上，沿导向杆(7)的轴向上下移动，传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场，可以有效控制熔体中的对流，改变固液界面形状，通过探索最佳工艺参数，提高晶体品质和成品率。
-
公开(公告)号：CN101407940A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810040954.X
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法，所述的生长装置包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7)，其中炉体(1)竖直放置，样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动，样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上；传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接，并带动炉体(1)沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上，沿导向杆(7)的轴向上下移动，传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场，可以有效控制熔体中的对流，改变固液界面形状，通过探索最佳工艺参数，提高晶体品质和成品率。
-
公开(公告)号：CN201952520U
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201020542034.0
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长安瓿中的坩埚固定装置，属于材料科学领域。本实用新型装置由石英玻璃导管、高铝砖圆棒、坩埚、刚性金属丝杆及氧化铝粉组成。该装置结构简单、实用，对坩埚中需高温融化进行晶体生长的材料能很好的固定，该装置应用于适合在振动场及其他附加外场下材料安瓿中的坩埚固定。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.027 seconds)
