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公开(公告)号：CN115849442A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310057165.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01G29/00 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料在作为太阳能电池吸光层材料中的应用。所述半导体材料的化学组成为ABXY2；其中A为过渡金属I族元素，B为第五主族，X为第六主族元素，Y为第七主族元素。该半导体材料作为太阳能电池中吸光层材料时，在300℃下具有热稳定性，具备在100℃低温处理的优势。
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