用于白光LED的紫外激发白光的荧光粉材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103509554B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201210216872.2

    申请日:2012-06-27

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明提供了一种用于白光LED的紫外激发白光的荧光粉材料及其制备方法,所述荧光粉是一种在硅酸铋(Bi4Si3O12)基质中掺杂Eu3+的荧光材料。该荧光粉材料的制备方法包括:首先将构成Bi4Si3O12的前驱体材料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中,搅拌、干燥后,先在空气气氛下在400~800℃进行预烧,冷却后取出研磨,然后进行750-900℃煅烧;最后随炉冷却至室温。本发明的荧光粉在紫外波长260nm激发下发射光的色坐标位于白光区域,系属Bi4Si3O12的本征蓝光和Eu3+特征红橙光叠加而成,发射峰位分别位于472nm,588nm,593nm和611nm,色坐标位于白光区域。本发明的荧光粉材料可满足白光LED照明领域的应用要求。

    用于白光LED的紫外激发白光的荧光粉材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103509554A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201210216872.2

    申请日:2012-06-27

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明提供了一种用于白光LED的紫外激发白光的荧光粉材料及其制备方法,所述荧光粉是一种在硅酸铋(Bi4Si3O12)基质中掺杂Eu3+的荧光材料。该荧光粉材料的制备方法包括:首先将构成Bi4Si3O12的前驱体材料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中,搅拌、干燥后,先在空气气氛下在400~800℃进行预烧,冷却后取出研磨,然后进行750-900℃煅烧;最后随炉冷却至室温。本发明的荧光粉在紫外波长260nm激发下发射光的色坐标位于白光区域,系属Bi4Si3O12的本征蓝光和Eu3+特征红橙光叠加而成,发射峰位分别位于472nm,588nm,593nm和611nm,色坐标位于白光区域。本发明的荧光粉材料可满足白光LED照明领域的应用要求。

    一种宽波段内具有高红外辐射率的粉体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102633494A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210114813.4

    申请日:2012-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种宽波段内具有高红外辐射率的粉体材料及其制备方法,所述粉体材料是一种掺杂有Ba2+或/和Fe3+的堇青石基材料。该粉体材料的制备是首先将构成堇青石的先驱原料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中,搅拌,干燥后,在空气气氛下先于600~1000℃进行预烧,再于1150~1350℃进行煅烧;最后随炉冷却到室温。本发明的粉体材料在加热到100℃时,在5~24μm的红外波段内都具有高于0.8的辐射率,尤其在14~20μm的波段内,其红外辐射率大部分高于0.9,明显高于堇青石母体,可满足红外内墙保温涂料、红外陶瓷釉面砖、工业窑炉保温涂层等领域的应用要求。

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