公开(公告)号：CN106784328B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201611264260.5

申请日：2016-12-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 杨松旺 ,  于宇 ,  刘岩

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及高性能钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述钙钛矿多晶薄膜的化学式为ABX3，所述制备方法包括如下步骤：（1）钙钛矿前驱体溶液制备，将B的卤化物和X的一价阳离子盐溶解在拥有含氧基团溶剂中形成钙钛矿前驱体溶液；（2）将步骤（1）获得的钙钛矿前驱体溶液涂覆在基底上形成钙钛矿前驱体薄膜，在成膜过程中在薄膜表面滴加第二溶剂，其中，所述第二溶剂中含有不溶于所述钙钛矿前驱体溶液的反溶剂；（3）将步骤（2）所述的钙钛矿前驱体薄膜进行结晶处理得到高性能钙钛矿多晶薄膜。

公开(公告)号：CN106784328A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611264260.5

申请日：2016-12-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 杨松旺 ,  于宇 ,  刘岩

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及高性能钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述钙钛矿多晶薄膜的化学式为ABX3，所述制备方法包括如下步骤：（1）钙钛矿前驱体溶液制备，将B的卤化物和X的一价阳离子盐溶解在拥有含氧基团溶剂中形成钙钛矿前驱体溶液；（2）将步骤（1）获得的钙钛矿前驱体溶液涂覆在基底上形成钙钛矿前驱体薄膜，在成膜过程中在薄膜表面滴加第二溶剂，其中，所述第二溶剂中含有不溶于所述钙钛矿前驱体溶液的反溶剂；（3）将步骤（2）所述的钙钛矿前驱体薄膜进行结晶处理得到高性能钙钛矿多晶薄膜。