公开(公告)号：CN118315475A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410253112.1

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 孙海彬 ,  林长青 ,  刘高睿 ,  杨星 ,  许龙 ,  陈育伟 ,  孙胜利

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明涉及红外光电器件成像技术领域，公开了一种重掺杂硅表面局域增强效应上转换红外光电响应方法，该方法针对飞秒激光微构造重掺杂硅红外吸收率高而光电响应极弱的特点，基于微构造硅表面微结构、可见光波段极强的光电响应以及红外波段的高红外光吸收特性，利用稀土离子诱导上转换调控光电响应波段的方法，通过稀土离子掺杂诱导上转换与表面“陷光”结构局域增强的联合调控作用，实现红外光电响应增强效果。也可通过激光诱导增强上转换效率，提升红外光电响应强度。本方法在拓展光电响应波段的同时，能够实现红外光电响应强度的显著增强，有助于提升硅基光电探测器件的响应灵敏度以及拓展其应用场景。