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公开(公告)号：CN103019620A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506947.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种由闪存-SRAM流水线组成的存储电路系统。该系统以流水线工作方式，先向闪存写入数据，待其进入编程状态后，再往SRAM内写入数据，直至闪存编程结束。不断重复此过程，直到SRAM内存满数据。最后将SRAM中的数据转移至闪存中。借助于SRAM的持续性高速数据吞吐能力，该系统避开了闪存的编程等待过程，既实现了持续性数据缓存，又使得实际缓存容量能达到数倍于系统所采用的SRAM缓存容量。在减小布线密度的同时又降低了成本，也保持了对数据速率的自适应性。它主要应用于平流层飞艇等低速无人监测平台，对这些平台所产生的高峰值速率、间歇性的数据流有着良好的掉电不丢失存储能力。
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