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发明公开
基于拓扑绝缘体碲化锆-石墨烯的垂直异质结整流天线及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119764802A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411789201.4

申请日：2024-12-06

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 , 王一鸣 , 潘晓凯 , 胡震 , 包兆雯

IPC: H01Q1/22 , H01Q9/04

Abstract: 本发明涉及一种基于拓扑绝缘体碲化锆‑石墨烯的垂直异质结整流天线及其制备方法。该整流天线结构是：在硅衬底上是二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层上首先电子束光刻金底电极，在底电极上法依次转移碲化锆和石墨烯，在碲化锆和石墨烯顶部再次电子束光刻顶电极，其结构由非对称垂直天线组成，源漏间的距离为50‑90nm；该碲化锆和石墨烯位于由底电极和顶电极构成的电极沟道间。本发明基于拓扑绝缘体碲化锆的独特电学特性，利用狄拉克半金属以及拓扑绝缘体材料在太赫兹频率范围内的强非线性响应，实现了高灵敏度和高效率的太赫兹波探测，以及高带宽，快响应的混频后端应用。

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