公开(公告)号：CN111739972B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202010623567.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 邓惠勇 ,  张祎 ,  殷子薇 ,  窦伟 ,  单玉凤 ,  张宗坤 ,  潘昌翊 ,  戴宁

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法，该探测器包括上下二层，每一层由环状的吸收区、中心阻挡区、环状吸收区电极和中心阻挡区电极组成，层与层之间的吸收区和阻挡区电极分别通过欧姆接触串联，制备方法包括五个步骤，即通过光刻、离子注入、热蒸发技术在高阻Ge基底依次形成上吸收区，下吸收区，上电极区，下电极区，以及上下电极串联端。本发明的优点是：双面环形的器件结构有效增强了入射光子吸收和光生电子‑空穴对的产生效率，提高了量子效率，从而提高了传统BIB型光子探测器的探测率，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。

公开(公告)号：CN111739972A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010623567.X

申请日：2020-07-01

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 邓惠勇 ,  张祎 ,  殷子薇 ,  窦伟 ,  单玉凤 ,  张宗坤 ,  潘昌翊 ,  戴宁

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法，该探测器包括上下二层，每一层由环状的吸收区、中心阻挡区、环状吸收区电极和中心阻挡区电极组成，层与层之间的吸收区和阻挡区电极分别通过欧姆接触串联，制备方法包括五个步骤，即通过光刻、离子注入、热蒸发技术在高阻Ge基底依次形成上吸收区，下吸收区，上电极区，下电极区，以及上下电极串联端。本发明的优点是：双面环形的器件结构有效增强了入射光子吸收和光生电子-空穴对的产生效率，提高了量子效率，从而提高了传统BIB型光子探测器的探测率，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。