一种真空红外定标辐射响应一致性方法

    公开(公告)号:CN113639880B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202110934001.3

    申请日:2021-08-13

    Abstract: 本发明涉及一种真空红外定标辐射响应一致性方法。针对真空红外定标过程中镜片污染及探测头部温度非一致性等,导致红外辐射计各通道定标系数及铂电阻转换系数获取不准确的问题,利用红外定标中获得的面源黑体及星上黑体变温数据,将红外辐射计真空红外定标过程中定标状态的响应度进行辐射一致性处理,以保证空间辐射基准到星上黑体辐射传递过程的辐射准确性。真空红外定标辐射响应一致性方法基于红外辐射计线性响应系统、红外辐射计单一系统状态响应稳定性以及空间辐射基准源辐射稳定性,建立了红外通道辐射定标响应一致性模型,实现对红外辐射计辐射定标数据再处理,有效提高了真空红外辐射定标精度。

    一种真空红外定标辐射响应一致性方法

    公开(公告)号:CN113639880A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110934001.3

    申请日:2021-08-13

    Abstract: 本发明涉及一种真空红外定标辐射响应一致性方法。针对真空红外定标过程中镜片污染及探测头部温度非一致性等,导致红外辐射计各通道定标系数及铂电阻转换系数获取不准确的问题,利用红外定标中获得的面源黑体及星上黑体变温数据,将红外辐射计真空红外定标过程中定标状态的响应度进行辐射一致性处理,以保证空间辐射基准到星上黑体辐射传递过程的辐射准确性。真空红外定标辐射响应一致性方法基于红外辐射计线性响应系统、红外辐射计单一系统状态响应稳定性以及空间辐射基准源辐射稳定性,建立了红外通道辐射定标响应一致性模型,实现对红外辐射计辐射定标数据再处理,有效提高了真空红外辐射定标精度。

    一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜

    公开(公告)号:CN103915538B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410121172.4

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于提高QWIP?LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP?LED器件电极层上的有限深空气孔阵列,厚膜的结构参数(晶格常数a,孔半径r,孔深度d)是针对QWIP?LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术,工艺简单。该厚膜结构在QWIP?LED器件上的应用,一方面可大幅提升QWIP?LED器件的光提取效率,从而使器件的红外上转换效率得以提高;另外一方面充分保护了器件的电气特性,从而保证了QWIP?LED图像输出功能不受破坏。

    基于辐射传输模型的甚长波星上光谱定标评价方法及装置

    公开(公告)号:CN119826969A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510162156.8

    申请日:2025-02-14

    Abstract: 本发明公开一种基于辐射传输模型的甚长波星上光谱定标评价方法及装置,属于遥感光学技术领域。本发明针对波长范围覆盖12‑16μm的宽谱段甚长波红外高光谱传感器,分析了该谱段范围内的大气吸收特征以及传感器成像光谱特征,通过物理模型仿真的手段评估光谱定标精度,包括:使用MODTRAN辐射传输模型进行模拟仿真;构建光谱漂移模型;基于光谱匹配结合迭代优化算法解求中心波长偏移量;对算法本身的估算误差、传感器信噪比、谱间响应非一致性、大气中CO2浓度等因素对估算结果造成的影响进行不确定度分析。本发明应用于在轨卫星数据评估光谱定标精度。

    一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜

    公开(公告)号:CN103915538A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410121172.4

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP-LED器件电极层上的有限深空气孔阵列,厚膜的结构参数(晶格常数a,孔半径r,孔深度d)是针对QWIP-LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术,工艺简单。该厚膜结构在QWIP-LED器件上的应用,一方面可大幅提升QWIP-LED器件的光提取效率,从而使器件的红外上转换效率得以提高;另外一方面充分保护了器件的电气特性,从而保证了QWIP-LED图像输出功能不受破坏。

    用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜

    公开(公告)号:CN204230283U

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201420145432.7

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 本专利公开了一种用于提高QWIP-LED光提取效率的二维光子晶体厚膜结构。该二维光子晶体厚膜是刻蚀在QWIP-LED器件电极层上的有限深空气孔阵列,厚膜的结构参数是针对QWIP-LED发光波长进行优化得到的。厚膜结构的制作是可采用标准的纳米加工技术,工艺简单。该厚膜结构在QWIP-LED器件上的应用,一方面可大幅提升QWIP-LED器件的光提取效率,从而使器件的红外上转换效率得以提高;另外一方面充分保护了器件的电气特性,从而保证了QWIP-LED图像输出功能不受破坏。

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