公开(公告)号：CN112331736A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011292424.1

申请日：2020-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  侯时聪 ,  郭万龙 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种四叶草形天线的石墨烯光电探测器及制备方法。器件制备步骤是将化学气相沉积生长的石墨烯转移到有SiO2氧化层的Si衬底上，利用紫外光刻技术制作源、漏和顶栅电极，并利用氧刻、原子层沉积、湿法腐蚀等工艺，制备成具有四叶草形天线的石墨烯光电探测器。利用独特的四叶草形天线结构，增强光的吸收并产生非对称的耦合电场，从而显著增强了探测器的源漏定向电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。四叶草形结构的石墨烯光电探测器在太赫兹及微波频段段均显示了超高的探测率。本发明的优点是探测率高，响应快，功耗低和便于集成化。

公开(公告)号：CN213905377U

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202022665832.9

申请日：2020-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  侯时聪 ,  郭万龙 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种四叶草形天线的石墨烯光电探测器。所述的探测器的结构为：在Si衬底上是SiO2氧化层，在SiO2氧化层上有单层石墨烯，源电极和漏电极位于单层石墨烯两端，氧化铝薄膜覆盖在单层石墨烯、源电极和漏电极上，并且保证每个电极有部分裸露在外，在氧化铝薄膜上有栅电极，所述的栅电极位于源电极和漏电极的之间，栅电极和源电极构成了四叶草形天线结构。本专利利用独特的四叶草形天线结构，增强光的吸收并产生非对称的耦合电场，从而显著增强了探测器的源漏定向电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。四叶草形结构的石墨烯光电探测器在太赫兹及微波频段段均显示了超高的探测率。本专利的优点是探测率高，响应快，功耗低和便于集成化。