公开(公告)号：CN116207166A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310150843.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周靖 ,  布勇浩 ,  任显松 ,  邓杰 ,  胡伟达 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开一种集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法。该器件包括金属反射层、电介质层、电极层以及二维材料层；电极层包括对称设置的分别与源极和漏极集成的互为相反手性的Z型金属光学天线阵列；该器件工作在零偏压状态，光响应来自于源、漏电极与二维材料构成的肖特基结诱导的光伏效应、热电子注入、光热电效应等；通过移动入射光斑配置源、漏电极处两组光学天线阵列接收入射光的强度比，可以在任一特定旋向的旋光照射下，使源、漏极产生大小相等、方向相反的光电流，从而使净输出光电流为零，且噪声下降1到2个量级；而在另一旋向的旋光照射下，稳定输出光电流。本发明在一定的波长范围内都具有超高的圆偏振光分辨能力。

公开(公告)号：CN116207166B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310150843.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周靖 ,  布勇浩 ,  任显松 ,  邓杰 ,  胡伟达 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开一种集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法。该器件包括金属反射层、电介质层、电极层以及二维材料层；电极层包括对称设置的分别与源极和漏极集成的互为相反手性的Z型金属光学天线阵列；该器件工作在零偏压状态，光响应来自于源、漏电极与二维材料构成的肖特基结诱导的光伏效应、热电子注入、光热电效应等；通过移动入射光斑配置源、漏电极处两组光学天线阵列接收入射光的强度比，可以在任一特定旋向的旋光照射下，使源、漏极产生大小相等、方向相反的光电流，从而使净输出光电流为零，且噪声下降1到2个量级；而在另一旋向的旋光照射下，稳定输出光电流。本发明在一定的波长范围内都具有超高的圆偏振光分辨能力。