公开(公告)号：CN102592914A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210046316.5

申请日：2012-02-28

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 许灿华 ,  冷雨欣 ,  李闯 ,  宋立伟 ,  李儒新

IPC: H01J1/304

Abstract: 利用纳米碳管对场发射电子发散角的控制方法，该方法包括利用多壁纳米碳管作为场发射的电子源，在碳管和阳极之间加上电压形成电子场发射。通过调整并选择纳米碳管的外壁抽出的长度及在纳米碳管上所施加的电压，改变所述的纳米碳管端口的电场分布，控制场发射电子发散角、准直或者会聚，控制电子束的聚焦距离。本发明可以在没有任何附加聚焦装置下，控制场发射电子的发散、聚焦或者准直。

公开(公告)号：CN102592914B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201210046316.5

申请日：2012-02-28

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 许灿华 ,  冷雨欣 ,  李闯 ,  宋立伟 ,  李儒新

IPC: H01J1/304

Abstract: 利用纳米碳管对场发射电子发散角的控制方法，该方法包括利用多壁纳米碳管作为场发射的电子源，在碳管和阳极之间加上电压形成电子场发射。通过调整并选择纳米碳管的外壁抽出的长度及在纳米碳管上所施加的电压，改变所述的纳米碳管端口的电场分布，控制场发射电子发散角、准直或者会聚，控制电子束的聚焦距离。本发明可以在没有任何附加聚焦装置下，控制场发射电子的发散、聚焦或者准直。