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公开(公告)号：CN117141073B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311425151.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: B32B27/30 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B27/36 , B32B27/32 , B32B27/34 , B29C65/02 , B29L7/00 , B29L9/00
Abstract: 本发明公开了一种红外隐身多层薄膜及其制备方法，属于隐身材料技术领域。本发明将厚度不同的单层聚合物膜按照厚度顺序进行排列并交叠，且在任意相邻的两单层聚合物膜之间制备一层介质得到多层膜；该多层膜热压成型得到红外隐身多层薄膜。该红外隐身多层薄膜具有梯度厚度结构，反射带较宽，具备高的反射性能，具有优异的红外隐身效果，而且其聚合物基质具有很强的柔性，易于覆盖在需要隐身的物体表面，且易裁剪、修复成本低，可相互拼接，对所覆盖物体无尺寸和形状要求；介质层选用金属化合物材料，其在提供高折射率的同时，又能降低多层薄膜微波波段辐射，有利于减轻隐身物体在雷达波段隐身的压力。
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公开(公告)号：CN105043536A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510471944.1
申请日：2015-08-04
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: G01J1/00
Abstract: 本发明提出了一种多通道光合作用有效辐射传感器的校准装置和校准方法，校准装置中内置一个标准光源和标准光合作用有效辐射传感器，使用标准光合作用有效辐射传感器和待测多通道光合作用有效辐射传感器分别检测不同驱动电流(电压)条件下标准光源光量子流密度，通过标准光合作用有效辐射传感器测到的实际光量子流密度校准待测多通道光合作用有效辐射传感器输出值，通过计算机对比分析得到两者间的线性关系，再将分析出的线性关系输入到待测多通道光合作用有效辐射传感器中完成校准。本发明提出的多通道光合作用有效辐射传感器的校准装置和校准方法，能够高效便捷地对植物工厂中的光合作用有效辐射传感器进行检测和校准，操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN104459833A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410767872.0
申请日：2014-12-13
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种新型光学聚合物复合薄膜及其制作方法和应用，在基底表面覆盖光学薄膜，基底由聚合物材料制成，光学薄膜由M个单元膜叠加而成，每个单元膜由N层采用聚合物材料制成的光学膜层叠加而成，其中N＝2或者N＝3，每层光学膜层具有预定的膜厚，任意相邻两层光学膜层具有不同的折射率；将多层光学膜层叠放在基底表面压制而成，或者，利用多层共挤吹塑方式制成多层光学薄膜并粘覆在基体表面制成。根据实际应用需要，通过对光学薄膜中单元模的数量以及单元模中每层光学膜层的膜厚、折射率以及膜层分布进行设计，可以实现光学薄膜的不同光学特性。本发明中，所述新型光学聚合物复合薄膜的工艺简单、价格低廉，可广泛应用在农业种植领域中。
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公开(公告)号：CN112768548A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110243603.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: H01L31/054 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供了一种光伏组件，包括背板、光伏电池片和第一组合膜结构，其中，第一组合膜结构处于光伏电池片的正面，第一组合膜结构包括多层透明膜层，在多层透明膜层上形成有至少两个第一反射界面；紫外光线自两个第一反射界面反射后形成背离光伏电池片的第一反射光线和第二反射光线，第一反射光线和第二反射光线可相长干涉，而选择性提高对紫外光线的反射。本申请提供的第一组合膜结构抗紫外线性能好、重量轻且成本低。因此，使用第一组合膜结构的光伏组件抗紫外性性能好、重量轻、成本低且柔性好，应用范围广，可应用至汽车、船舶、彩钢瓦屋顶、建筑幕墙等。
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公开(公告)号：CN117283834B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311579787.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: B29C48/00 , B29C48/08 , B29C48/18 , B29C48/71 , B29K33/04 , B29K105/00 , B29K507/04
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法，属于新材料制备技术领域。本发明利用多层共挤加工技术和倍增技术生产制备聚合物基辐射制冷薄膜，无机颗粒二氧化硅受多层聚合物形成的大量界面影响，难以相互结合团聚成簇，可以提高二氧化硅在聚合物基质中的分散性，实现聚合物基辐射制冷薄膜更优良的制冷效果。与静电纺丝等工艺制备的辐射制冷薄膜材料相比，本申请的制备方法简化了生产工艺，生产成本也将大幅度降低，且生产速率大大提高，适用于大面积制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117283834A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311579787.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: B29C48/00 , B29C48/08 , B29C48/18 , B29C48/71 , B29K33/04 , B29K105/00 , B29K507/04
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法，属于新材料制备技术领域。本发明利用多层共挤加工技术和倍增技术生产制备聚合物基辐射制冷薄膜，无机颗粒二氧化硅受多层聚合物形成的大量界面影响，难以相互结合团聚成簇，可以提高二氧化硅在聚合物基质中的分散性，实现聚合物基辐射制冷薄膜更优良的制冷效果。与静电纺丝等工艺制备的辐射制冷薄膜材料相比，本申请的制备方法简化了生产工艺，生产成本也将大幅度降低，且生产速率大大提高，适用于大面积制备。
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公开(公告)号：CN107160790B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710277495.6
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种复合结构高转光率多层聚合物转光农膜，沿阳光穿透方向依次包括增透膜单元、转光膜单元和光谱选择膜单元；增透膜单元由N层采用聚合物A制成的A光学膜层和M层采用聚合物B制成的B光学膜层交替叠加而成，N层A光学膜层的厚度按照叠加方向呈线性梯度逐层递增，M层B光学膜层的厚度沿叠加方向呈线性梯度逐层递增；光谱选择膜单元由n层采用聚合物X制成的X光学膜层和m层采用聚合物Y制成的Y光学膜层交替叠加而成；n层X光学膜层的厚度按照叠加方向呈线性梯度逐层递增，m层Y光学膜层的厚度沿叠加方向呈线性梯度逐层递增。本发明可以根据各种农作物进行针对性的生产，提高了转光农膜的光谱匹配度、转光效率以及耐候性。
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公开(公告)号：CN105099359B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510490444.2
申请日：2015-08-11
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
CPC classification number: H02S40/22 , G02B19/0028 , G02B19/0042 , G02B27/141 , G02B27/16 , H02S20/32 , H02S40/20
Abstract: 本发明提出了一种分布式聚光分光的太阳能综合利用系统，包括N个聚光分光模块，每个聚光分光模块包括聚光机构、分光机构和光伏发电装置，其中，分光机构位于聚光机构与光伏发电装置之间，聚光机构的受光面与分光机构的受光面相对设置，在分光机构的受光面设有分光膜，在聚光机构上设有透光孔；聚光机构用于对太阳光进行汇聚并照射到分光机构上；分光机构用于接收聚光机构汇聚的太阳光并通过分光膜进行分光，经分光机构的透射光照射到光伏发电装置上用于光伏发电；经分光机构的反射光穿过聚光机构的透光孔。本发明中，通过光学聚光和分光方式进行光伏发电并满足了植物照明的基本需求，实现太阳能高效综合利用。
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公开(公告)号：CN117141073A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311425151.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: B32B27/30 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B27/36 , B32B27/32 , B32B27/34 , B29C65/02 , B29L7/00 , B29L9/00
Abstract: 本发明公开了一种红外隐身多层薄膜及其制备方法，属于隐身材料技术领域。本发明将厚度不同的单层聚合物膜按照厚度顺序进行排列并交叠，且在任意相邻的两单层聚合物膜之间制备一层介质得到多层膜；该多层膜热压成型得到红外隐身多层薄膜。该红外隐身多层薄膜具有梯度厚度结构，反射带较宽，具备高的反射性能，具有优异的红外隐身效果，而且其聚合物基质具有很强的柔性，易于覆盖在需要隐身的物体表面，且易裁剪、修复成本低，可相互拼接，对所覆盖物体无尺寸和形状要求；介质层选用金属化合物材料，其在提供高折射率的同时，又能降低多层薄膜微波波段辐射，有利于减轻隐身物体在雷达波段隐身的压力。
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公开(公告)号：CN108428769A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810330325.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 中国科学技术大学先进技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，所述工艺包括如下步骤：利用纳米压印技术制作出纳米级的Mesh图形，打掉底胶，露出GaN，溅射ITO，去除压印胶，得到图形化ITO Mesh。本发明提出的纳米压印和常温溅射ITO工艺省去了湿法蚀刻步骤，可以解决孔洞尺寸不易控制的问题。由于具有纳米级Mesh图形的ITO透明导电层理论上比微米级的电流扩散效率更高，所以该方法不仅能提升LED芯片的发光强度，而且省去了湿法蚀刻所用的药水，此外还可以减少相应的清洗台设备用量，降低了LED芯片生产成本。
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