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公开(公告)号：CN108287418B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810145037.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹波电控调制器，包括：衬底层和多排金属微结构阵列；所述金属微结构阵列包括设置于衬底层表面的导电金属条和多个金属框，所述金属框沿着所述导电金属条长度方向设置，所述导电金属条与所述金属框形成封闭图案；所述金属框至少由两段导热金属条组成，所述导热金属条通过二氧化钒微粒块连接。本发明通过外加电流来控制微粒二氧化钒的金属‑绝缘相变，即调控二氧化钒微粒块的电导率，从而改变金属微结构的共振频率，实现对太赫兹波透射强度的高效、快速调控。
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公开(公告)号：CN107579354A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710689839.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体。本发明提供一种基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体，包括底层金属层，第一介质层，第一金属微纳结构层，第二介质层，第二金属微纳结构层，其中第一介质层和第一金属微纳结构层之间包括二氧化钒层。本发明还提供制备所述太赫兹波完美吸收体的方法。本发明的结构使得多种振动模式相互耦合，实现了太赫兹波的宽谱完美吸收，还利用二氧化钒随温度变化发生相变的性质，实现了在两个宽频段可切换的太赫兹波完美吸收。
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公开(公告)号：CN108227244B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810223513.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种调控太赫兹波振幅的调制器及制作方法，该调制器包括：衬底，所述衬底包括相对设置的上表面和下表面；设置在所述衬底上表面的含有掺杂元素的硅结构阵列，所述硅结构阵列包括多个阵列排布的阵列单元。该调制器中的含有掺杂元素的硅结构阵列同时具有提供电磁共振和对外加光泵浦敏感的两大作用，由于通过外加的飞秒激光对含有掺杂元素的硅结构阵列产生泵浦并激发大量的自由载流子，因此该调制器可以通过控制泵浦激光和太赫兹探测波之间的时间延迟来控制载流子的激发和复合过程，进而实现对太赫兹波振幅的主动调节。
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公开(公告)号：CN108287418A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810145037.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹波电控调制器，包括：衬底层和多排金属微结构阵列；所述金属微结构阵列包括设置于衬底层表面的导电金属条和多个金属框，所述金属框沿着所述导电金属条长度方向设置，所述导电金属条与所述金属框形成封闭图案；所述金属框至少由两段导热金属条组成，所述导热金属条通过二氧化钒微粒块连接。本发明通过外加电流来控制微粒二氧化钒的金属-绝缘相变，即调控二氧化钒微粒块的电导率，从而改变金属微结构的共振频率，实现对太赫兹波透射强度的高效、快速调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227244A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810223513.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种调控太赫兹波振幅的调制器及制作方法，该调制器包括：衬底，所述衬底包括相对设置的上表面和下表面；设置在所述衬底上表面的含有掺杂元素的硅结构阵列，所述硅结构阵列包括多个阵列排布的阵列单元。该调制器中的含有掺杂元素的硅结构阵列同时具有提供电磁共振和对外加光泵浦敏感的两大作用，由于通过外加的飞秒激光对含有掺杂元素的硅结构阵列产生泵浦并激发大量的自由载流子，因此该调制器可以通过控制泵浦激光和太赫兹探测波之间的时间延迟来控制载流子的激发和复合过程，进而实现对太赫兹波振幅的主动调节。
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公开(公告)号：CN107357052B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710689846.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器。本发明提供一种电磁场强度调制器，所述电磁场强度调制器包含石墨烯层(1)、电容层(2)、导电介质层(3)、导电螺线圈(4)、磁芯(5)；所述电容层(2)位于石墨烯层(1)和导电介质层(3)之间，导电介质层(3)位于磁芯(5)端面上方，导电螺线圈(4)环绕于磁芯(5)非端面的磁芯外表面。本发明的电磁场强度调制器可通过自行产生的可变磁场和栅极电场来控制石墨烯的电导率频谱，从而能够在射频至远红外频段的电磁波范围内众多频点上实现相互独立的、针对入射电磁波的振幅调控，具有极好的主动调频性能。
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公开(公告)号：CN107579354B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710689839.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体。本发明提供一种基于双谐振环结构、可切换的宽频太赫兹波完美吸收体，包括底层金属层，第一介质层，第一金属微纳结构层，第二介质层，第二金属微纳结构层，其中第一介质层和第一金属微纳结构层之间包括二氧化钒层。本发明还提供制备所述太赫兹波完美吸收体的方法。本发明的结构使得多种振动模式相互耦合，实现了太赫兹波的宽谱完美吸收，还利用二氧化钒随温度变化发生相变的性质，实现了在两个宽频段可切换的太赫兹波完美吸收。
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公开(公告)号：CN107357052A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710689846.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器。本发明提供一种电磁场强度调制器，所述电磁场强度调制器包含石墨烯层(1)、电容层(2)、导电介质层(3)、导电螺线圈(4)、磁芯(5)；所述电容层(2)位于石墨烯层(1)和导电介质层(3)之间，导电介质层(3)位于磁芯(5)端面上方，导电螺线圈(4)环绕于磁芯(5)非端面的磁芯外表面。本发明的电磁场强度调制器可通过自行产生的可变磁场和栅极电场来控制石墨烯的电导率频谱，从而能够在射频至远红外频段的电磁波范围内众多频点上实现相互独立的、针对入射电磁波的振幅调控，具有极好的主动调频性能。
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公开(公告)号：CN207976665U
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201820373937.7
申请日：2018-03-19
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本实用新型公开了一种调控太赫兹波振幅的调制器，该调制器包括：衬底，所述衬底包括相对设置的上表面和下表面；设置在所述衬底上表面的含有掺杂元素的硅结构阵列，所述硅结构阵列包括多个阵列排布的阵列单元。该调制器中的含有掺杂元素的硅结构阵列同时具有提供电磁共振和对外加光泵浦敏感的两大作用，由于通过外加的飞秒激光对含有掺杂元素的硅结构阵列产生泵浦并激发大量的自由载流子，因此该调制器可以通过控制泵浦激光和太赫兹探测波之间的时间延迟来控制载流子的激发和复合过程，进而实现对太赫兹波振幅的主动调节。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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