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公开(公告)号：CN110518081B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910823846.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：A)将酒石酸锑钾、硫代硫酸钠和硒代硫酸钠与水混合，得到沉积液；B)所述沉积液在衬底表面进行水热反应，得到复合于衬底表面的硫硒化锑薄膜；C)在惰性气体环境下将得到的硫硒化锑薄膜进行退火处理，得到太阳能电池吸收层。本发明使用水热法直接沉积出硫硒化锑薄膜，无需后续硒化，解决了溶液法大多需要后续硒化的问题。通过改变沉积液中硫代硫酸钠和硒代硫酸钠的浓度，可以方便地调节薄膜的带隙，得到带隙可调的硫硒化锑薄膜。与其他方法相比，本发明制备设备和工艺简单、薄膜结晶性好、薄膜成分和厚度容易控制，且薄膜的均匀性良好。
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公开(公告)号：CN111876809A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010788043.6
申请日：2020-08-07
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种硒化锑薄膜的制备方法，包括：将衬底浸入电沉积溶液中，利用电化学沉积法在衬底上沉积硒化锑薄膜；所述电沉积溶液包括含锑化合物、含硒化合物与辅助电解质；所述辅助电解质为含有氨基的化合物。与现有技术相比，本发明采用电化学沉积法可快速制得结晶性良好的硒化锑薄膜，进而使太阳能电池具有较好的光电响应；并且电化学沉积法制备简单，能够在不同类型的导电基底上进行大规模生产，可进行连续，多组分的低温沉积。
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公开(公告)号：CN110556447A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910870743.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锑基太阳能电池用空穴传输层，为二氧化硒薄膜。本发明提供的空穴传输层原料具有获取简单，价格低廉的优势。相较于现在通用的以2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)为代表的小分子空穴传输层具有水热稳定的特点。该空穴传输层制备所使用溶剂毒性低，价格低。
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公开(公告)号：CN104269460A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410490373.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0326
Abstract: 本发明涉及一种水浴叠层制备太阳能电池吸收层材料CZTS/CZTSSe的方法，属于太阳能电池材料与器件技术领域。本发明涉及两个具体步骤：步骤一，完全使用化学水浴法沉积含有含锌和锡的硫化物以及金属铜的叠层薄膜结构的前驱体薄膜；步骤二，将前驱体薄膜在硫或硒气氛中以一定的工艺制备得到CZTS或CZTSSe吸收层薄膜。本发明实现了只使用化学水浴法制备有含锌和锡的硫化物以及金属铜的叠层薄膜结构的前驱体薄膜，具有明显的优点：制备工艺简单易控、所需设备简单不复杂、薄膜成分和厚度易控、可大面积制备以及原材料丰富可得，在低成本薄膜太阳能电池制备领域具有巨大应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101694854B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200910152060.4
申请日：2009-07-28
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法，包括以下步骤：制备前驱体料浆；利用所述前驱体料浆制备预制膜；硒化所述预制膜，得到黄铜矿结构的CIS薄膜。并且，利用本发明制备出的所述CIS薄膜成功制备出了电池器件。通过本发明可大面积均匀成膜，生产成本低，制程简单，易于大规模工业化生产，对CIS薄膜太阳能电池的发展具有重要推动作用。
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公开(公告)号：CN101700872B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910236576.7
申请日：2009-10-26
Applicant: 中国科学技术大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于与N型窗口层及金属电极组成具有光电转换性能的异质结。该铜铟镓硒纳米线阵列适用于高效率、低成本太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN101700871B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910236574.8
申请日：2009-10-26
Applicant: 中国科学技术大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于制备具有光电转换性能的异质结太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101700872A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910236576.7
申请日：2009-10-26
Applicant: 中国科学技术大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟镓硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于与N型窗口层及金属电极组成具有光电转换性能的异质结。该铜铟镓硒纳米线阵列适用于高效率、低成本太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN115148840A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210861448.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: H01L31/046 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，尤其涉及一种大面积硒化锑薄膜太阳能电池组件及其制备方法。该方法包括以下步骤：在镀有透明导电层的玻璃基板上进行刻划，按照设计的图案划分透明导电层；在所述的透明导电层之上沉积一层电子传输层；在所述的电子传输层之上沉积一层硒化锑吸收层；在所述的硒化锑吸收层之上沉积一层空穴传输层；在得到的薄膜之上进行刻划，按照设计的图案划分电子传输层、硒化锑吸收层和空穴传输层；在得到的薄膜之上沉积一层背电极；在得到的薄膜之上进行刻划，按照设计的图案划分背电极。本发明将电池单元通过串联实现硒化锑太阳电池的模块化，获得了高效率的大面积硒化锑太阳电池。
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