公开(公告)号：CN116770199A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310748272.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 中国矿业大学 ,  江苏恒久机械股份有限公司

Inventor： 陈正 ,  付珂 ,  成俊 ,  沈善致 ,  樊宇 ,  徐杰 ,  张金勇 ,  吕复强 ,  赵永柱 ,  王林 ,  程春龙 ,  王叶青

IPC: C22C45/00 ,  C22C45/04 ,  C22C1/11 ,  B22D11/06

Abstract: 本发明公开了一种共晶型非晶态高熵合金及其制备方法，该共晶型非晶态高熵合金的化学式为FeaCobNicBdMne，式中a，b，c，d，e分别表示各元素的摩尔百分比含量，a＝7，b＝c，10≤c≤40，10≤d≤25，e≥0，且a+b+c+d+e＝100。本发明公开了该共晶型非晶态高熵合金材料的制备方法，包括按照所述共晶型高熵非晶合金材料各元素的原子分数进行配料，采用悬浮熔炼法将其熔炼均匀，制成母合金锭；将母合金锭熔化后以一定速度喷射到转动的铜辊表面，制得共晶型高熵非晶合金条带。该制备方法简单、高效，能够应用在较大规模的工业生产中。

公开(公告)号：CN119626914A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202510157922.1

申请日：2025-02-13

Applicant: 江苏中科智芯集成科技有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 吕复强 ,  陈正 ,  李更 ,  龚玉峰 ,  张奎 ,  童媛 ,  姚大平

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片的低温键合方法，其包括：制备具有微凸点的上芯片，微凸点包括含Sn的低温材料；制备具有铜柱的下芯片，并降低铜柱的键合面的粗糙度；将微凸点和铜柱的键合面相对，并在真空环境下，以温度为50‑150℃，压力为10‑40MPa，脉冲电压为2‑6V，进行键合。本发明的芯片的低温键合方法能够实现低温键合，提高键合的稳定性，减少键合带来的热损伤，并且改善键合后上芯片、下芯片的基板出现翘曲问题。

公开(公告)号：CN118225836B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410485953.5

申请日：2024-04-22

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 程春龙 ,  周高林 ,  渠博 ,  岳琨 ,  吕复强 ,  龚玉峰 ,  姚瑞东 ,  樊宇 ,  陈正 ,  乐启炽

IPC: G01N25/12 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明公开了一种不同气氛环境下镁合金燃点测试装置及方法，包括支架、试样吊篮以及导气管，所述支架上部安装有加热炉，加热炉的内壁安装有电阻带，所述试样吊篮安装在加热炉的中心处，试样吊篮的底部用于放置燃点测试试样，试样吊杆的上部安装有用于监测燃点测试试样温度变化的热电偶组，加热炉的内部还安装有用于监测加热炉内部温度变化的第一热电偶，第一热电偶连接温控模块，热电偶组连接数据记录模块，所述导气管一端与加热炉连接，导气管另一端连接气瓶，且导气管上安装有用于控制气氛流量的流量计。

公开(公告)号：CN118225836A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410485953.5

申请日：2024-04-22

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 程春龙 ,  周高林 ,  渠博 ,  岳琨 ,  吕复强 ,  龚玉峰 ,  姚瑞东 ,  樊宇 ,  陈正 ,  乐启炽

IPC: G01N25/12 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明公开了一种不同气氛环境下镁合金燃点测试装置及方法，包括支架、试样吊篮以及导气管，所述支架上部安装有加热炉，加热炉的内壁安装有电阻带，所述试样吊篮安装在加热炉的中心处，试样吊篮的底部用于放置燃点测试试样，试样吊杆的上部安装有用于监测燃点测试试样温度变化的热电偶组，加热炉的内部还安装有用于监测加热炉内部温度变化的第一热电偶，第一热电偶连接温控模块，热电偶组连接数据记录模块，所述导气管一端与加热炉连接，导气管另一端连接气瓶，且导气管上安装有用于控制气氛流量的流量计。

公开(公告)号：CN119446926B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510031670.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 江苏中科智芯集成科技有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 龚玉峰 ,  陈正 ,  李更 ,  吕复强 ,  张奎 ,  童媛 ,  姚大平

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片；通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球；将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合，热压键合的温度为250~270℃，压力为200‑300gf，时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。

公开(公告)号：CN119446926A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202510031670.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 江苏中科智芯集成科技有限公司 ,  中国矿业大学

Inventor： 龚玉峰 ,  陈正 ,  李更 ,  吕复强 ,  张奎 ,  童媛 ,  姚大平

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片；通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球；将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合，热压键合的温度为250~270℃，压力为200‑300gf，时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。