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公开(公告)号：CN118054677A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410085420.8
申请日：2024-01-22
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开一种两电平的DAB电感电流应力调制方法及存储介质，涉及变换器优化控制技术领域。所述方法包括：对两电平DAB的电流运行模式进行划分，确定在所述运行模式下的电感电流和传输功率；所述电路包括八种模式；计算ZVS范围和所述各模式的电感电流的应力，即电感电流峰值，并在对应传输功率范围内和ZVS范围内对电流应力进行数值离散优化，得到离线最优控制表；利用所述优化控制表，对所述两电平DAB进行电感电流应力调制。本发明将脉宽调制策略与隔直电容相结合的调制方法运用于变换器，能够基于离线最优控制表对变换器进行控制，减小变换器的电流应力，提高整体运行效率。
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公开(公告)号：CN119535143A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411595785.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G01R31/26 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种基于WOA‑BP的SiC MOSFET寿命预测方法、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：选取漏源极电压作为SiC MOSFET的老化特征参数，并用传感器在老化试验过程中实时获取电压数据；对采集到的电压数据进行预处理，消除异常值，补充缺失值，平滑数据；通过鲸鱼优化算法WOA对反向传播神经网络BP的参数进行优化，构建WOA‑BP预测模型；初始化WOA‑BP模型并输入电压数据进行训练，建立SiC MOSFET寿命与电压之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有适应性强、低计算复杂度、预测精度高等优点，能够广泛应用于半导体行业、新能源汽车、工业自动化等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。
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公开(公告)号：CN119298701A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411407632.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H02M7/487 , H02M7/5395 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开一种三电平ANPC的扩展非连续脉冲调制方法，涉及变换器控制技术领域。所述方法包括：以平衡中点电位和减少开关损耗为优化目标，得到各相占空比的等式；利用各相电压的大小关系以及不同的箝位方式，增加各相占空比等式的条件，计算各相各电平的占空比，并选择出最适合的钳位方式进行调制；为了确保对需要控制中点电位注入的电流为零，选择功率因数较低且调制度较高的钳位方式进行优化；利用所述占空比和所述钳位方式，对所述三电平ANPC进行扩展非连续脉冲调制。本发明将扩展非连续脉冲调制方法方法运用于变换器，基于最优的钳位方式对变换器进行控制，实现了中点电位的平衡和开关损耗的减少，提高了变换器的运行效率。
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公开(公告)号：CN119891853A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510068753.4
申请日：2025-01-16
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开一种优化在线极值搜索法的同步磁阻电机MTPA控制方法，涉及电机控制领域。所述方法包括：将极值搜索法用于同步磁阻电机(SynRM)中的最大转矩/电流比(MTPA)：在稳态条件下，利用在线极值搜索得到的优化电流矢量角构建查找表。在后续相似工况下，直接调用查找表中的数据，避免重复的搜索过程，提高控制效率。在电机运行未达到稳态时，利用查找表中已有的数据进行插值计算，估计当前工况下的MTPA电流矢量角，从而扩展了MTPA控制策略至非稳态条件。该方法针对传统MTPA控制策略中因参数非线性和依赖于稳态条件而面临的挑战。通过结合在线极值搜索方法和实时查找表构建，该方法提高了动态响应速度，并将应用扩展到非稳态条件，显著提高了SynRM的效率和性能。
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公开(公告)号：CN119202611A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411383832.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G06F18/20 , G06N3/08 , G06N3/084 , G06N3/006 , G06N3/0499
Abstract: 本发明提供了一种IGBT的寿命预测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的历史电压参数构建样本集；电压参数为与寿命相关的电压参数；构建用于预测IGBT寿命的BP神经网络；将BP神经网络的初始权重和偏置参数作为种群个体，以BP神经网络的均方误差函数作为适应度函数，通过鹈鹕优化算法进行全局搜索，得到初始最优权重和偏置参数；基于初始最优权重和偏置参数以及样本集对BP神经网络训练，迭代前向传播和反向传播过程，得到训练好的BP神经网络；将待预测的IGBT的电压参数输入训练好的BP神经网络，通过训练好的BP神经网络对IGBT的寿命进行预测。该方法能够提高IGBT的寿命预测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119051458A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411320704.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开一种考虑死区条件的双有源桥变换器的电流应力优化方法、设备及存储介质，涉及变换器控制技术领域。所述方法包括：把电路必须设置的死区最小值定义为死区安全值，用M0表示死区安全值占半个周期的比例，且满足M0≤M≤1的关系；在双重移相控制基础上，根据死区大小和电感电流过零点位置的不同，将双重移相控制的4种模式进一步划分为32种不同的子模式，推导出包含死区占比的电流应力精确模型；利用KKT法求解模型的条件极值，对应的内外移相角D1、D2和死区占比M；在全功率范围下，选择子模式中满足条件的结果组合构成考虑死区建模的最小电流应力优化模型。本发明考虑死区条件进行双有源桥变换器的电流应力优化，能够改善高开关频率下带来的死区效应，提高最小电流应力优化模型结果的准确性，提高整体的稳定性和运行效率。
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公开(公告)号：CN119051503A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411376796.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开一种永磁同步电机零低速无位置传感器控制方法，涉及电机控制领域。所述方法包括：在速度外环设计中用非奇异终端滑膜控制器代替传统比例积分控制器，使用积分滑膜面，免去q轴给定电流的积分环节，同时采用Sigmoid函数代替符号函数提高系统动态性能和鲁棒性；采用高频方波注入法进行转子初始位置辨识和低速域无位置传感器控制，传统的电机转子角度由锁相环进行观测，本文中提出一种新型滑膜控制，使得估测电机转子角度不断逼近真实转子角度，提高系统的观测精度，缩小稳态误差；采用扩张观测器，观测外部突变负载，进行前馈补偿，抵抗外部干扰，提高系统鲁棒性；本发明将非奇异滑膜速度控制器、改进高频方波注入法和扰动观测器应用于低速域无位置传感器中，提高系统的动态性能。
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公开(公告)号：CN118734693A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410812270.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06F119/04 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET寿命预测方法、系统、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：通过传感器实时采集SiC MOSFET在运行过程中的关键参数，包括电压；对采集到的电压数据进行清洗、整合预处理，消除噪声、异常值，平滑数据；结合蜣螂优化算法(DBO)和反向传播(BP)神经网络的优势，通过DBO算法对BP神经网络的参数进行优化，构建DBO‑BP预测模型；通过训练和优化DBO‑BP模型，建立SiCMOSFET寿命与运行参数之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有数据驱动、实时性强、预测精度高等优点，能够广泛应用于电力电子设备、新能源汽车、智能电网等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。
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公开(公告)号：CN118100679A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410208832.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国矿业大学
IPC: H02M7/797 , H02M7/5395 , H02M1/00 , H02M1/42
Abstract: 本发明属于变换器移相调频控制技术领域，并公开了一种变换器的移相调频控制方法、系统、设备及介质，包括：获取DAB型双向AC‑DC变换器的等效电路模型；基于所述等效电路模型获取拓展移相调制外部工作模式下变换器的电感电流数据；基于所述电感电流数据获取变换器直流侧全桥的内移相角的取值范围表格和软开关条件表达式；基于所述软开关条件表达式和所述取值范围表格对电感电流最值进行寻优优化，得到优化后的电感电流最大值，基于所述电感电流最大值对变换器进行移相变频调制。本发明所述技术方案能够提高变换器能量双向传递的效率，降低能量流动过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN119885899A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510069946.1
申请日：2025-01-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G06F30/27 , G01R31/26 , G06F18/10 , G06F18/15 , G06F18/27 , G06N3/006 , G06N3/0442 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种基于SSA‑LSTM的SiC MOSFET寿命预测方法、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：选取漏源极电压作为SiC MOSFET的老化特征参数，并用传感器在老化试验过程中实时获取电压数据；对采集到的电压数据进行预处理，消除异常值，补充缺失值，平滑数据；通过麻雀搜索算法SSA对长短期记忆网络LSTM的参数进行优化，构建SSA‑LSTM预测模型；初始化SSA‑LSTM模型并输入电压数据进行训练，建立SiC MOSFET寿命与电压之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有适应性强、低计算复杂度、预测精度高等优点，能够广泛应用于半导体行业、新能源汽车、工业自动化等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。
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