公开(公告)号：CN118338743A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410340025.X

申请日：2024-03-25

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 仇乐乐 ,  徐鸣 ,  赵云鹏 ,  田婉豫 ,  王炳翰 ,  魏婧

IPC: H10K71/15 ,  H10K85/30 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种利用轴向取代硅酞菁分子改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用，属于太阳能电池技术领域。所述硅酞菁分子是通过化合物的羟基或羧基轴向取代二氯硅酞菁获得，取代基包括含吡啶、噻吩等的杂原子基团，具体是将硅酞菁分子作为反溶剂添加剂用于制备钙钛矿薄膜。本发明所涉及的轴向取代硅酞菁分子具有优异的半导体特性，物理化学性质稳定，且合成方法简单，在有机溶剂中具有较好的溶解性，可通过配位键和氢键与钙钛矿组分发生相互作用，改善钙钛矿薄膜的结晶质量，抑制缺陷诱导的非辐射复合，从而提高薄膜对太阳光的吸收和利用，能够用于制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池。