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公开(公告)号：CN119578336A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411707718.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 中国矿业大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G06F30/31
Abstract: 本发明涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种GaN HEMT器件功率驱动寄生参数影响分析系统，包括Simulink模型实现模块、GUI界面设计以及系统实现模块；Simulink模型实现模块用于转换spice模型为Simscape模型、搭建寄生参数影响分析测试仿真电路和仿真数据计算；GUI界面设计包括参数输入部分、绘制曲线控制部分和图像绘制坐标轴图窗显示部分；系统实现模块用于选择GaN元件、调整寄生电感参数、绘制电压振荡曲线以及关闭窗口。本发明采用Simulink与GUI联合仿真，节省了开发成本，具有高预测精度和可视化优势，降低了工程师和开发人员的学术要求，易于上手，同时辅助分析和优化了电路设计，提高了产品性能和可靠性。
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