公开(公告)号：CN117926179B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410035030.X

申请日：2024-01-10

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 魏徐兵 ,  李晓伟 ,  冯海燕 ,  杜乃洲 ,  丁佳晴 ,  卢诗琪 ,  陈赞

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜及制备方法，属于材料表面改性技术领域。该超薄（20~200nm）非晶碳薄膜包括非晶碳膜上配副和选择性氢化的织构非晶碳下配副，其中下配副从上到下包含表面织构层和非晶碳支撑层，表面织构层为等间距矩形织构且其凸起位置为氢化处理区域，非晶碳支撑层为非晶碳膜。该超薄非晶碳薄膜具有原子级光滑表面，并且具有高硬度、高承载、低磨损、超低摩擦和极好的摩擦稳定性，能为磁存储设备和微米或纳米电子机械系统优异的摩擦防护。

公开(公告)号：CN117926179A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410035030.X

申请日：2024-01-10

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 魏徐兵 ,  李晓伟 ,  冯海燕 ,  杜乃洲 ,  丁佳晴 ,  卢诗琪 ,  陈赞

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种超低摩擦选择性氢化的织构化超薄非晶碳薄膜及制备方法，属于材料表面改性技术领域。该超薄（20~200nm）非晶碳薄膜包括非晶碳膜上配副和选择性氢化的织构非晶碳下配副，其中下配副从上到下包含表面织构层和非晶碳支撑层，表面织构层为等间距矩形织构且其凸起位置为氢化处理区域，非晶碳支撑层为非晶碳膜。该超薄非晶碳薄膜具有原子级光滑表面，并且具有高硬度、高承载、低磨损、超低摩擦和极好的摩擦稳定性，能为磁存储设备和微米或纳米电子机械系统优异的摩擦防护。

公开(公告)号：CN117888077A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410035033.3

申请日：2024-01-10

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 魏徐兵 ,  李晓伟 ,  冯海燕 ,  陈赞 ,  卢诗琪 ,  丁佳晴 ,  杜乃洲

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀自修复硅氮共掺杂非晶碳涂层及制备方法，属于材料表面镀膜技术领域。该涂层包括含量为50 at.%~70 at.%的sp2碳结构和含量为10 at.%~30 at.%的sp3碳结构；非晶碳涂层中掺杂有硅、氮元素，其中硅元素含量为2.0~13.0 at.%，氮元素含量为1.0~10.0 at.%。本发明制备的涂层利用硅的腐蚀产物来充当修复元，修复涂层在腐蚀过程中产生的贯穿式孔隙；利用氮掺杂改善非晶碳涂层的韧性，为腐蚀产物的聚集提供可靠支撑；二者的协同作用可大幅提高涂层的耐腐蚀性能。