一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714976A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310732866.7

    申请日:2013-12-26

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4纳米颗粒溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h即可得到介孔Cu3SnS4对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4作为染料敏化太阳能电池对电极,其比表面积大,催化性能高,生产成本低;该方法制备的电池光电转换效率与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种染料敏化太阳能电池用Cu2ZnSnS4/MWCNT纳米复合对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103794373A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201310733891.7

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu2ZnSnS4/MWCNT纳米复合对电极及其制备方法,步骤如下:(1)采用热溶剂法合成直径在200~300纳米的Cu2ZnSnS4纳米颗粒;(2)MWCNT浸在硫酸和硝酸混合溶液中,改善其分散性;(3)将Cu2ZnSnS4/MWCNT纳米复合材料搅拌和超声处理,使复合材料混合均匀,将Cu2ZnSnS4/MWCNT溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(4)采用旋涂法将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h得到Cu2ZnSnS4/MWCNT复合对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的Cu2ZnSnS4/MWCNT作为染料敏化太阳能电池的对电极,其比表面积大,催化和导电性能俱佳,生产成本低;采用该方法制备的电池光电转换效率可以与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714976B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201310732866.7

    申请日:2013-12-26

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池用Cu3SnS4纳米材料对电极及其制备方法。其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4纳米颗粒溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~2h即可得到介孔Cu3SnS4对电极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4作为染料敏化太阳能电池对电极,其比表面积大,催化性能高,生产成本低;该方法制备的电池光电转换效率与基于传统的Pt电极的电池相当,适合在染料敏化太阳能电池中应用并有利于其产业化发展。

    一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714973A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310731417.0

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒和直径范围在250~350纳米的Cu2SnSe3纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4和Cu2SnSe3纳米颗粒分别机械搅拌和超声处理,并溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~1h得到介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3作为光电化学太阳能电池的光阴极,其比表面积大,催化和导电性能俱佳,生产成本低;采用该方法制备的电池光电转换效率可以与基于传统的Pt对电极的电池相当,适合光电化学太阳能电池的产业化生产。

    一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103714973B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310731417.0

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:(1)采用热溶剂法合成直径范围在200~300纳米的Cu3SnS4纳米颗粒和直径范围在250~350纳米的Cu2SnSe3纳米颗粒;(2)将Cu3SnS4和Cu2SnSe3纳米颗粒分别机械搅拌和超声处理,并溶解在去离子水中并通过超声处理形成“墨水”;(3)将黑色“墨水”涂覆在导电基底上,然后在450~550℃下退火0.5~1h得到介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极。该方法采用有良好耐腐蚀性能的介孔Cu3SnS4/Cu2SnSe3作为光电化学太阳能电池的光阴极,其比表面积大,催化和导电性能俱佳,生产成本低;采用该方法制备的电池光电转换效率可以与基于传统的Pt对电极的电池相当,适合光电化学太阳能电池的产业化生产。

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