公开(公告)号：CN116018050A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310027600.6

申请日：2023-01-09

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 郑明 ,  张怡笑 ,  杨健 ,  关朋飞

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明公开了一种基于铜铁氧体的多铁异质结构，包含铁电单晶衬底和该衬底下的金属电极、衬底上外延生长的SrRuO3电极，以及在SrRuO3/铁电单晶外延生长的铜铁氧体薄膜。制备方法，包括以下步骤：步骤1：选取钙钛矿型SrRuO3陶瓷块体，在铁电单晶衬底上沉积一层外延的SrRuO3电极；步骤2：选取尖晶石型铜铁氧体陶瓷块体为靶材，在SrRuO3/铁电单晶衬底上沉积一层外延铜铁氧体薄膜；步骤3：采用磁控溅射法将金属电极溅射在铁电单晶底部。本发明在室温下通过控制纵向施加的直流电场强度，使铁电单晶衬底产生逆压电效应，引入面内拉伸或压缩应变，导致不同区域的磁化方向重新取向以及磁化强度出现变化，从而改变薄膜的磁畴，实现对该多铁复合材料磁性的调控。

公开(公告)号：CN116219539A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310030662.2

申请日：2023-01-10

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 郑明 ,  杨健 ,  张怡笑 ,  关朋飞

IPC: C30B23/02 ,  C09K11/74 ,  C09K11/02 ,  C30B29/32

Abstract: 本发明公开了一种铁电发光外延异质结构，包括铁电单晶衬底和在衬底上外延生长的Eu3+掺杂的钙钛矿型二元钛酸铋钠基薄膜；制备方法，包括以下步骤：步骤1：选取Eu3+掺杂的钙钛矿型二元钛酸铋钠基陶瓷块体作为靶材；步骤2：然后采取脉冲激光沉积技术，在铁电单晶衬底上沉积一层外延的Eu3+掺杂的钙钛矿型二元钛酸铋钠基薄膜。本发明相较于传统的化学方法和改变温度这两种方法，基于原位电场调控光致发光性能这种全新的途径对于发光的调控实时可控、可重复调控、转换效率高、稳定性好、成本低。对其在可逆非易失和低能耗的铁电光学器件、存储器件等领域的应用具有重要意义。