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公开(公告)号：CN103543162B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310542491.8
申请日：2013-11-05
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置，属于材料表面缺陷及厚度的检测方法及装置。所述装置采取的具体技术方案是：装置包括工装、控制柜、计算机和连接缆线；工装、控制柜、计算机通过连接缆线顺序连接。所述装置的检测原理：利用绿色激光的透射原理间接反馈平面片材的高度值信号，通过一系列公式计算出半导体片材的表面缺陷及厚度。所述检测方法包括：测试平台水平校准方法、激光发生器和激光接收器同步运行的方法、半导体片材表面缺陷及厚度的检测方法，半导体片材表面缺陷及厚度的计算方法。该检测装置简单、实用、易于操作、检测精度高、重复性好、样品要求低、杂质及污染影响小，非常适合科研需求。
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公开(公告)号：CN103288132B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310225841.8
申请日：2013-06-07
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法，属于ZrO2纳米片的制备方法。采用直接氧化刻蚀ZrB2陶瓷的方法，通过化学反应，原位自组装生成分等级单斜相ZrO2纳米片，步骤如下：1）选取ZrB2作为锆源，以热分解可产生氧气的物质作为氧源，以强腐蚀性氢氟酸作为辅助材料；2）配置氧源溶液，并添加表面活性剂，充分搅拌溶解；3）称取ZrB2陶瓷粉和钇盐，分别加入到上述溶液中；4）然后添加强腐蚀性氢氟酸，充分搅拌后，转移到特氟龙内衬的反应釜中进行水热反应；5）反应结束后，将产物过滤，用去离子水和乙醇清洗，并在烘箱中干燥；6）将干燥的产物热处理后得到最终单斜相ZrO2纳米片。该制备方法过程简单，操作条件易于控制，可用于实验室研究的少量制备及大批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103303977B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201310228159.4
申请日：2013-06-07
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法，属于Nb3O7F纳米材料的制备方法。采用直接氧化刻蚀NbB2陶瓷的方法，通过化学反应，原位自组装生成中空Nb3O7F纳米材料，步骤如下：1）选取NbB2作为铌源，以热分解可产生氧气的物质作为氧源，以强腐蚀性氢氟酸作为氟源；2）配置氧源溶液，并添加表面活性剂，充分搅拌溶解；3）称取NbB2陶瓷粉，加入到上述溶液中；4）然后添加强腐蚀性氢氟酸到上述溶液中，并搅拌充分；5）将上述溶液转移到反应釜中进行水热反应；6）反应结束后，将产物过滤，并用去离子水和乙醇清洗，在烘箱中干燥，即得到分等级中空Nb3O7F纳米材料。方法过程简单，操作条件易于控制，实现了低温下原位制备Nb3O7F纳米材料，无需后续的热处理，可用于大批量生产。
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公开(公告)号：CN104498865B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410621431.X
申请日：2014-11-06
IPC: C23C8/16
Abstract: 本发明公开了一种医用钛及钛合金表面水浴热氧化处理方法，通过预处理、热氧化处理以及冷却步骤，在钛及钛合金表面得到厚度为5～15μm的薄膜。本发明具有工艺简单、性价比高、应用范围广、可处理复杂的结构等优点，其制备的医用钛及钛合金表面的薄膜由于基于原位生长具有较大膜基结合力、较大薄膜厚度，薄膜综合性能优异。
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公开(公告)号：CN103543162A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310542491.8
申请日：2013-11-05
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种半导体片材的表面缺陷及厚度检测方法及装置，属于材料表面缺陷及厚度的检测方法及装置。所述装置采取的具体技术方案是：装置包括工装、控制柜、计算机和连接缆线；工装、控制柜、计算机通过连接缆线顺序连接。所述装置的检测原理：利用绿色激光的透射原理间接反馈平面片材的高度值信号，通过一系列公式计算出半导体片材的表面缺陷及厚度。所述检测方法包括：测试平台水平校准方法、激光发生器和激光接收器同步运行的方法、半导体片材表面缺陷及厚度的检测方法，半导体片材表面缺陷及厚度的计算方法。该检测装置简单、实用、易于操作、检测精度高、重复性好、样品要求低、杂质及污染影响小，非常适合科研需求。
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公开(公告)号：CN103303977A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310228159.4
申请日：2013-06-07
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法，属于Nb3O7F纳米材料的制备方法。采用直接氧化刻蚀NbB2陶瓷的方法，通过化学反应，原位自组装生成中空Nb3O7F纳米材料，步骤如下：1）选取NbB2作为铌源，以热分解可产生氧气的物质作为氧源，以强腐蚀性氢氟酸作为氟源；2）配置氧源溶液，并添加表面活性剂，充分搅拌溶解；3）称取NbB2陶瓷粉，加入到上述溶液中；4）然后添加强腐蚀性氢氟酸到上述溶液中，并搅拌充分；5）将上述溶液转移到反应釜中进行水热反应；6）反应结束后，将产物过滤，并用去离子水和乙醇清洗，在烘箱中干燥，即得到分等级中空Nb3O7F纳米材料。方法过程简单，操作条件易于控制，实现了低温下原位制备Nb3O7F纳米材料，无需后续的热处理，可用于大批量生产。
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公开(公告)号：CN103288132A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310225841.8
申请日：2013-06-07
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法，属于ZrO2纳米片的制备方法。采用直接氧化刻蚀ZrB2陶瓷的方法，通过化学反应，原位自组装生成分等级单斜相ZrO2纳米片，步骤如下：1）选取ZrB2作为锆源，以热分解可产生氧气的物质作为氧源，以强腐蚀性氢氟酸作为辅助材料；2）配置氧源溶液，并添加表面活性剂，充分搅拌溶解；3）称取ZrB2陶瓷粉和钇盐，分别加入到上述溶液中；4）然后添加强腐蚀性氢氟酸，充分搅拌后，转移到特氟龙内衬的反应釜中进行水热反应；5）反应结束后，将产物过滤，用去离子水和乙醇清洗，并在烘箱中干燥；6）将干燥的产物热处理后得到最终单斜相ZrO2纳米片。该制备方法过程简单，操作条件易于控制，可用于实验室研究的少量制备及大批量生产。
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