公开(公告)号：CN104167459A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410256341.5

申请日：2014-06-11

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 周小岩 ,  郭浩 ,  杨波 ,  李娜 ,  阎子峰

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1828

Abstract: 一种可用于精确测量位移、角度传感器的异质结ZnO薄膜/SiO2/Si，该异质结具有显著的光诱导位置敏感性。通过射频磁控溅射方法，在保留有自然氧化层二氧化硅的p型单晶Si(100)晶面上沉积ZnO薄膜。再通过直流磁控溅射方法，在ZnO薄膜/SiO2/Si异质结表面掩模，溅射A、B两个铟金属电极并相距7mm。根据本发明制备的ZnO薄膜/SiO2/Si异质结具有显著的光诱导位置敏感性。当氦氖激光照射在ZnO薄膜/SiO2/Si结构上表面的A位置时，样品的电阻达到一个最小值。激光照射位置由A向B移动时，样品的电阻逐渐增大，在B位置，样品的电阻达到一个最大值，其电阻变化率为1041％。

公开(公告)号：CN104167459B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201410256341.5

申请日：2014-06-11

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 周小岩 ,  郭浩 ,  杨波 ,  李娜 ,  阎子峰

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种可用于精确测量位移、角度传感器的异质结ZnO薄膜/SiO2/Si，该异质结具有显著的光诱导位置敏感性。通过射频磁控溅射方法，在保留有自然氧化层二氧化硅的p型单晶Si(100)晶面上沉积ZnO薄膜。再通过直流磁控溅射方法，在ZnO薄膜/SiO2/Si异质结表面掩模，溅射A、B两个铟金属电极并相距7mm。根据本发明制备的ZnO薄膜/SiO2/Si异质结具有显著的光诱导位置敏感性。当氦氖激光照射在ZnO薄膜/SiO2/Si结构上表面的A位置时，样品的电阻达到一个最小值。激光照射位置由A向B移动时，样品的电阻逐渐增大，在B位置，样品的电阻达到一个最大值，其电阻变化率为1041％。

公开(公告)号：CN108802087A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810429202.6

申请日：2018-05-08

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 葛新民 ,  范宜仁 ,  刘建宇 ,  杨波 ,  胡法龙 ,  李潮流

IPC: G01N24/08

CPC classification number: G01N24/081

Abstract: 本发明公开一种基于低场核磁共振的岩石中天然气水合物生成效率的定量评价方法，该方法充分应用低场核磁共振技术对岩石中含氢流体敏感、对含氢固体不敏感的优势，通过测量完全含水岩石及含天然气水合物岩石的横向弛豫信号，采用正则化反演算法将横向弛豫信号转换成T2谱，分别计算它们的T2谱面积，根据T2谱面积的变化差异来确定岩石中天然气水合物的生成效率。本发明可解决以往采用天然气水合物饱和度评价海底岩层中天然气水合物资源量精度低的缺陷，有效地提升了天然气水合物的探测效率，对天然气水合物资源量的定量评价和预测具有重要意义。