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公开(公告)号：CN120054428A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510472675.4
申请日：2025-04-16
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: B01J20/24 , B01J20/28 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供一种基于瓜尔胶和海藻酸钠交联的刚果红吸附剂、其制备方法及应用，所述吸附剂的制备方法包括以下步骤：步骤1、将海藻酸钠在管式炉中850‑950℃下灼烧7‑9h，得到碳化海藻酸钠；步骤2、将碳化海藻酸钠溶于去离子水中，超声分散后加入瓜尔胶，搅拌形成多糖混合溶液，冷却至20‑30℃；步骤3、将多糖混合溶液逐滴滴入硼砂溶液中交联，形成水凝胶后经去离子水冲洗、烘干，得到基于瓜尔胶和海藻酸钠交联的刚果红吸附剂。本发明工艺简单、环保，制备得到的基于瓜尔胶和海藻酸钠交联的刚果红吸附剂吸附兼具高效率和高容量，适用于染料废水处理领域，尤其适用于染料废水中刚果红(CR)的高效去除。
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公开(公告)号：CN104502412A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410746755.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明属于气体探测领域，具体提供了一种以纸为基底的石墨烯氨气敏感材料及其制备方法。首先将适量的氧化石墨烯加入到去离子水中，超声一段时间以得到均匀的氧化石墨烯溶液，然后利用抽滤方法在滤纸表面制备出一层氧化石墨烯薄膜,然后放入一定浓度的硼氢化钠水溶液中将氧化石墨烯就被还原，得到以纸为基底的还原氧化石墨烯薄膜，最后在还原氧化石墨烯薄膜上面制备两条银电极。本发明采用的工艺简单，易于生产，一次可制备出大面积的以纸为基底的还原氧化石墨烯薄膜，并且可以根据实际需要任意裁剪、加工成不同尺寸、不同形状的氨气探测器。该氨气传感器柔软、便携，具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103048362B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310018255.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明提供了一种具有优异氢气敏感效应的钯/碳/二氧化硅/硅异质结材料，该材料是通过对碳膜的掺杂和加入二氧化硅插层的方法，优化了钯/碳/二氧化硅/硅异质结的电学性能,从而制备出具有优异氢气敏感效应的钯/钯掺杂碳膜/二氧化硅/硅异质结新材料。该材料可以用于开发性能优异的氢气敏感器件，该器件无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，工艺简单，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，在气体探测领域，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103247710A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210030220.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有光电导效应的钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料，是将掺杂原子数含量为0～5％钯的石墨复合靶溅射到厚度为0.5～1.0毫米的带有氧化物的半导体衬底上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料。该钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料具有光电导效应，而且光电流与光照辐射强度具有很好的线性关系，可以用于制备光电传感器件，在室温下工作，结构简单，成本低，生产工艺简单，成品率高，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103558253B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310556642.5
申请日：2013-11-11
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底，以二氧化钛半导体为基体材料，以钯为催化层的高性能氢气探测器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化钛薄膜；然后通过掩膜和直流磁控溅射方法在薄膜表面制备比二氧化钛膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结氢气探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对氢气具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103558253A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310556642.5
申请日：2013-11-11
Applicant: 中国石油大学(华东)
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底，以二氧化钛半导体为基体材料，以钯为催化层的高性能氢气探测器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化钛薄膜；然后通过掩膜和直流磁控溅射方法在薄膜表面制备比二氧化钛膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结氢气探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对氢气具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103048362A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310018255.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国石油大学(华东)
Abstract: 本发明提供了一种具有优异氢气敏感效应的钯/碳/二氧化硅/硅异质结材料，该材料是通过对碳膜的掺杂和加入二氧化硅插层的方法，优化了钯/碳/二氧化硅/硅异质结的电学性能，从而制备出具有优异氢气敏感效应的钯/钯掺杂碳膜/二氧化硅/硅异质结新材料。该材料可以用于开发性能优异的氢气敏感器件，该器件无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，工艺简单，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，在气体探测领域，具有重要的应用前景。
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