公开(公告)号：CN116678460A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310689494.8

申请日：2023-06-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 刘洋 ,  刘成利 ,  赫伟东 ,  孙立凯 ,  程振乾 ,  李宝生 ,  金鹏飞 ,  孙略升 ,  宫占江

IPC: G01F1/692 ,  B41M1/12 ,  B41M1/34 ,  B41M1/40 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 一种耐辐照高温高压热式流量传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域。本发明的目的是为了解决传统热式流量传感器的制备工艺存在精度低、误差大，工艺制备过程复杂、成本较高及生产周期较长的问题。本发明基于陶瓷共烧工艺技术，主要工艺过程包括冲孔工艺、丝网印刷工艺、叠片工艺、切割工艺和排胶烧结工艺等在内的陶瓷共烧工艺技术。通过电极材料体系、结构设计以及调试校准实现不同流量流速的流量传感器制备。本发明的制造方法可以降低温度梯度和提升换热效率，提高精度和使用寿命，满足高温、高压及辐照的特定环境需求。本发明可获得一种耐辐照高温高压热式流量传感器及其制备方法。

公开(公告)号：CN103760195A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410050239.X

申请日：2014-02-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所

Inventor： 金鹏飞 ,  孙延玉 ,  赫伟东 ,  任先武 ,  祁欣 ,  文吉延 ,  刘洋 ,  苑文龙 ,  周明军 ,  张洪泉

IPC: G01N27/04

Abstract: 一种钯金合金氢气传感器芯体的制造方法，属于传感器技术及制造领域，本发明为解决现有传感器芯体稳定性不高，并且成本高的问题。本发明的具体过程为：依次用丙酮溶液、酒精和HF溶液清洗硅片，然后甩干；利用干法湿法混合氧化，在硅片表面形成第一二氧化硅层和第二二氧化硅层；利用化学气相沉积在第一二氧化硅层的表面形成氮化硅层；利用溅射在氮化硅层表面形成钯镁合金薄膜；利用溅射在氮化硅层的表面形成测温电阻和加热电阻；在背面利用腐蚀形成背面腐蚀槽。本发明用于氢气传感器的生产和使用中。