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公开(公告)号：CN119225463A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411348550.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路中的电源管理领域，具体涉及一种数字辅助模拟的无片外电容低压差线性稳压器；包括控制模块、带隙基准电路、瞬态增强电路、瞬态增强功率管组、模拟环路和数字环路；在负载稳态下采用模拟LDO为主控制方案，高增益放大器可以获得精确的输出电压，并且不会发生极限循环振荡。仅在负载瞬态发生时才调用数字LDO为主控制方案，以提高速度、降低静态电流和抑制开关噪声。可实现片上集成、高精度输出电压、宽负载电流范围、快速瞬态响应速度、高效功率管面积利用率、低输出纹波。该电路可适用于SoC模块化电源管理、数字IP负载。
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公开(公告)号：CN114389232B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210056760.9
申请日：2022-01-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H02H3/02 , H02H3/05 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于多路复用器的断电保护电路，该电路包括：缓冲电路、断电保护电路以及开关电路；缓冲电路的输出端连接开关电路，断电保护电路的输出端连接开关电路；其中，缓冲电路包括四个MOS管和两个二极管；断电保护电路包括四个MOS管和两个二极管；开关电路包括两个MOS管；本发明设计了一种多路复用器的断电保护电路，通过缓冲电路和断电保护电路能消除断电时多路复用器产生的异常沟道电流和寄生二极管电流，提高电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN113965060A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111239466.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路；所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端，并采样该LDO的功率管的泄漏电流；所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极，并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态，在所述功率管进入截止区时，将采样的泄漏电流输出；所述电流放大电路连接LDO的输出端，并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中，抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流，避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
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公开(公告)号：CN118732770A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410964900.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种宽输入电压范围低温漂带隙基准电路。包括预稳压电路、启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路；预稳压电路将输入电压转换为预稳压，产生偏置电压；预稳压为启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路供电；启动电路接收到预稳压电路的偏置电压后，为带隙基准核心电路提供电流或为抬升电压以启动，在启动完成后，启动电路关闭；偏置电路为带隙基准核心电路的电流镜提供偏置电压，以使得其在正确工作点运行；带隙基准核心电路能进行高阶补偿，产生低温漂系数的带隙基准电压。本发明具有低温漂、低线性调整率、低静态电流、核心结构简单的优点，可为宽输入LDO等电路提供基准电压，适用于基站、汽车电子应用场景。
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公开(公告)号：CN108508952A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810433620.2
申请日：2018-05-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种带隙基准电压二阶补偿电路，属于集成电路设计领域，该补偿电路包括运算放大器OP1，双极晶体管Q1～Q4，电阻R1～R7；运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极，运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的集电极，运算放大器OP1的输出端连接双极晶体管Q1的基极；双极晶体管Q1的集电极连接电源VDD，发射极分别通过电阻R1、电阻R2连接至运算放大器OP1的反向输入端和正向输入端；双极晶体管Q1的发射极还连接至双极晶体管Q4的基极；双极晶体管Q2的发射极通过电阻R4和电阻R5串联接地，双极晶体管Q3的发射极通过电阻R5接地；双极晶体管Q4的发射极经过电阻R7接地。本发明电路结构简单、设计复杂度低且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118760312A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410951299.2
申请日：2024-07-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于汽车芯片的预稳压电路，包括：5个NMOS管M1～M5、2个PMOS管P1～P2、9个电阻R1～R9、3个比较器A1～A2、1个非门以及三个辅助控制电路Logic、VINT_X_TEST、COMP_VZP；各个器件依次连接，构成预稳压电路；在全片电路工作状态稳定的条件下，将预稳定电压电路的功耗降至更低并且工作状态更加稳定。该预稳压电路可以适用于各种类型的车规级芯片。
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公开(公告)号：CN118249288A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410435281.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及集成电路中驱动技术领域，特别涉及一种应用于开关功率器件的过流保护电路及其栅极驱动器；包括过流点调节电路、偏置电流产生电路和过流比较器；过流点调节电路一端设置有外置端口，过流点调节电路工作在内置过流点模式时，外置端口悬空，过流点调节电路工作在外置可编程过流点模式时，外置端口连接可调电阻一端，可调电阻另一端接地；过流点调节电路另一端连接偏置电流产生电路一端，偏置电流产生电路另一端连接过流比较器一端。本发明通过集成内置过流点和外置可编程过流点两种功能，简化了栅极驱动器应用线路结构，提高了栅极驱动器应用灵活度，避免了采用阻值较大功率电阻来降低开关功率器件过流点，提升了电源转换效率。
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公开(公告)号：CN117631737A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311766463.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路中的电源管理领域，具体涉及一种基于衬底波纹注入的宽频带高PSR低压差线性稳压器，包括：基准电路、LDO主体电路、GTGS电路以及衬底波纹注入电路；LDO主体电路包括误差放大器EA、功率管Mp、电阻RL以及电容CL；本发明用于高PSR的无片外电容LDO电路，GTGS电路可以按照负载电流变化跟随相应的波纹放大倍数，BRI电路可以按照不同的放大倍数将处理后的波纹用于LDO主环路的PSR补偿，可以适用于各类需要低电压供电的射频电路，具有很强的通用性。
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公开(公告)号：CN113938122B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111170933.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明属于集成电路领域，涉及一种宽压输入信号的抗辐射加固逻辑输入电路；包括主电路，所述主电路包括电阻、两个N型LDMOS管和两个反相器，电阻一端连接输入信号IN，电阻另一端连接两个N型LDMOS管的漏极，两个N型LDMOS管的栅极连接电源VDD，第一N型LDMOS管的衬底与源极短接后与第二N型LDMOS管的衬底相连，第二N型LDMOS管的源极接第一反相器输入端和第三反相器输出端，第一反相器输出端接第三反相器输入端和输出信号OUT，第三反相器输出端接到第二N型LDMOS管的源极。本发明能解决现有逻辑输入电路可处理输入信号范围窄，逻辑输入信号高电平电压低的问题，同时本发明还具有抗辐射能力强的特点。
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公开(公告)号：CN113965060B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111239466.3
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路；所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端，并采样该LDO的功率管的泄漏电流；所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极，并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态，在所述功率管进入截止区时，将采样的泄漏电流输出；所述电流放大电路连接LDO的输出端，并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中，抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流，避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
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