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公开(公告)号:CN114244312A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111613630.2
申请日:2021-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种FBAR滤波器电路结构,一种FBAR滤波器电路结构,其特征在于:包括滤波模块和陷波模块,所述陷波模块与滤波模块的输入端或输出端相连,用于在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点。本发明通过采用串联的陷波模块和滤波模块,其中的陷波模块可以在FBAR滤波器电路的阻带形成一个传输零点,从而可以提高带外抑制,通过调整陷波模块中第一谐振器的谐振频率,能够准确控制FBAR滤波器电路传输零点的位置。
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公开(公告)号:CN119182376A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411299228.5
申请日:2024-09-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种低杂波高Q值的薄膜体声波谐振器,包括衬底、支撑层、下电极、压电层、上电极和调频层,还包括空气桥结构,所述空气桥结构位于所述上电极的下边界内侧,且所述空气桥结构轴向方向一侧的边界与所述上电极上的凸起位置相适应,另一侧的边界延伸到所述下电极的边界以外。本发明空气桥结构延伸到下电极的边界以外,可以减小谐振器的非有效区域的面积,从而减小寄生电容,提高谐振器的Q值,此处的Q值特指薄膜体声波谐振器在并联谐振点fp处的Q值Qp。
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