公开(公告)号：CN113618080A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110931208.5

申请日：2021-08-13

Applicant: 中国海洋大学

Inventor： 王巍 ,  孔德堡 ,  陈守刚 ,  李文 ,  刘琮 ,  马程成 ,  张晨阳

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种pH响应型核壳结构的壳聚糖包覆氧化亚铜负载银纳米球的制备方法，属于纳米材料制备领域。在室温下，将一定量的铜盐溶解在溶剂中，再加入一定量的表面活性剂，超声处理一定时间，使其完全溶解，形成混合溶液。之后加入合适比例的还原剂，在合适转速下反应一段时间。再加入一定量的银盐，反应溶液变为弱酸性，溶解一定量壳聚糖，再加入一定量戊二醛，反应一段时间后，经离心、洗涤、干燥，即可制得pH响应型核壳结构的壳聚糖包覆氧化亚铜负载银纳米球。本发明利用还原氧化亚铜和银产生的酸性溶液，溶解壳聚糖，并用戊二醛交联，得到核壳结构，优化了填料比例、反应温度、搅拌速度、反应时间等参数。利用一锅法合成核壳结构的壳聚糖氧化亚铜银纳米材料，合成方法室温下即可完成，操作简便、原料利用率提高、成本较低。

公开(公告)号：CN118106040A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410291222.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 中国海洋大学

Inventor： 陈守刚 ,  马程成 ,  王超群 ,  赵志鹏

IPC: B01J31/28 ,  B01J35/39 ,  A01N59/20 ,  A01N59/16 ,  A01N43/90 ,  A01P1/00 ,  A01P3/00

Abstract: 本发明提供一种全光谱驱动光催化的Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料及其制备方法，属于纳米材料制备领域。在室温下，将有机半导体、络合剂、镓盐、铜盐、溶剂按照配比混合，然后加入一定量的还原剂，经离心、洗涤、干燥，可制得Ga掺杂Cu2O/有机半导体粉末。本发明以Ga掺杂Cu2O作为p型半导体，PDINH作为n型半导体构建Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料，通过Ga掺杂调节Cu2O/有机半导体异质结的能带结构，优化了Ga掺杂比例、填料比例、反应温度、搅拌速度、反应时间等参数，提高光催化利用效率。利用原位合成法制备了Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料，操作简便、原料利用率提高、成本较低。