一种碳包覆的超长二氧化钛纳米管锂离子电池负极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105406042A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510782324.X

    申请日:2015-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种碳包覆的超长二氧化钛纳米管锂离子电池负极材料的制备方法。利用水热法制备出钛酸纳米管,酸化得到氢基管。将所得到的氢基管溶于乙醇中,加入有机大分子的乙醇溶液,然后进行低温搅拌,形成大分子包覆的氢基管,作为碳包覆的二氧化钛纳米管前驱体,再进行惰性气体保护高温热处理,得到碳均匀包覆的超长二氧化钛纳米管锂离子电池负极材料。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本低廉、环境友好,整个反应过程不需要特殊设备,利于工业化生产,最终得到产物质量较高,制备的高导电相物质复合的纳米管状结构可以同时实现缩短离子传输距离和提高材料的导电性、材料的离子扩散速率,使得材料具有优异的倍率性能、稳定的循环性能与高的库伦效率。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的理想锂离子负极材料。

    铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN106670498A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611145707.7

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种利用热注射法制备铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法。通过控制反应温度、时间以及原料用量来达到铜铟碲超薄纳米片的合成。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本较低、环境友好,整个反应过程不需要特殊设备,易于推广,同时此纳米片还具有一定的近红外发光性能和敏感的光电响应效应。本发明制备的材料是一种在光电方面具有一定应用前景的材料。

    一种“两面神”铜基硫化物异质纳米棒的制备方法

    公开(公告)号:CN118343825A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410549721.1

    申请日:2024-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种“两面神”铜基硫化物异质纳米棒的制备方法,该方法分两步进行:一,制备出形貌结构可控的二元Cu2‑xS纳米晶体;二,将Cu2‑xS晶种在200‑250℃下快速注入到In3+前驱体溶液中并反应0‑60 min。通过本发明制备的Cu2‑xS/CuInS2纳米棒尺寸形貌均一、异质界面清晰、长径比灵活可调,其独特的“两面神”异质结构不仅可以提高材料对太阳光的捕获能力,还可以促进光生载流子在界面处实现高效分离,在光催化领域具有良好应用前景。经验证,本方法不仅适用于不同尺寸、形貌、晶型的Cu2‑xS异质外延生长制备铜基硫化物异质纳米材料,还可以拓展到其他的铜基异质纳米材料(如Cu2‑xS/ZnS纳米棒)的设计合成,为构筑具有奇异空间结构和光电性质的铜基纳米异质材料提供了一种可靠的途径。

    铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN106670498B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201611145707.7

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种利用热注射法制备铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法。通过控制反应温度、时间以及原料用量来达到铜铟碲超薄纳米片的合成。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本较低、环境友好,整个反应过程不需要特殊设备,易于推广,同时此纳米片还具有一定的近红外发光性能和敏感的光电响应效应。本发明制备的材料是一种在光电方面具有一定应用前景的材料。

    磷酸钴超小纳米盘,超薄纳米片,超细纳米线制备方法

    公开(公告)号:CN105460913A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510819184.9

    申请日:2015-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种利用两相界面法制备磷酸钴超小纳米盘,超薄纳米片,超细纳米线制备方法。通过调控反应时间控制由磷酸钴超小纳米盘组装成超薄纳米片再向超细纳米线的转换。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本低廉、环境友好,整个反应过程不需要特殊设备,利于工业化生产,最终得到比电容在电流密度为2 A/g时可达到1174 F/g的具有优良赝电容器性能的超细纳米线纳米材料。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的理想超级电容器材料。

Patent Agency Ranking