公开(公告)号：CN104977336B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510376679.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 龙冲生 ,  韦天国 ,  陈洪生 ,  高雯 ,  赵毅 ,  肖红星 ,  吴正武

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法，通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗，由离子迁移电流或阻抗与纯电子传导电流或电阻的差异及其数值，来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是：本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况，如缺陷尺度、分布密度等，而不只是定性地了解，能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况；本方法不需要制样，可在样品上直接测量，方便快捷，避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。

公开(公告)号：CN104977336A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510376679.9

申请日：2015-07-01

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 龙冲生 ,  韦天国 ,  陈洪生 ,  高雯 ,  赵毅 ,  肖红星 ,  吴正武

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法，通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗，由离子迁移电流或阻抗与电子传导电流或电阻的差异及其数值，来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是：本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况，如缺陷尺度、分布密度等，而不只是定性地了解，能反映出微观缺陷在宏观尺度（10mm）上的分布情况；本方法不需要制样，可在样品上直接测量，方便快捷，避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。