一种基于D-D中子源的中子毒物检测方法及装置

    公开(公告)号:CN119861090A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510349162.4

    申请日:2025-03-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于D‑D中子源的中子毒物检测方法及装置。一种基于D‑D中子源的中子毒物检测方法,通过中子慢化体将D‑D快中子慢化为热中子,所述中子慢化体中设置有样品的通道,并设置热中子探测器和中子稳定性监视器,对透过所述样品的10B的中子进行检测,建立中子透射率与10B含量的关系,并计算得到中子毒物含量以及空间分布均匀性。本发明设置至少5种不同B的质量分数的所述样品,所述样品中B的质量分数为0.2%‑10%。本发明是一种非破坏性的无损检测技术,不会对芯块或样品造成损伤。本发明检测方法检测效率高,检测结果准确度高,能检测出质量百分比≤0.5wt%的中子毒物。

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