公开(公告)号：CN114184118A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111518767.X

申请日：2021-12-13

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 张文 ,  赵文斌 ,  杨文华 ,  徐灵杰 ,  司丹丹 ,  徐斌 ,  宁晨 ,  伍晓勇 ,  莫华均 ,  朱伟

IPC: G01B7/02 ,  G01B7/24 ,  G01D5/20

Abstract: 本发明公开了耐高温强辐射LVDT传感器及其装配工艺，耐高温强辐射LVDT传感器包括线圈框架和铁芯，所述线圈框架包括框架和缠绕在框架上的线圈绕组，所述铁芯设置在线圈框架的轴向通孔内，所述线圈绕组采用铬铌青铜材质的线圈构成，所述线圈绕组采用绝缘化合物覆盖且线圈之间的间隙被绝缘化合物填充。本发明所述LVDT传感器具有较强的耐高温，抗辐射能力，能够直接应用于研究堆内的高温辐射环境及核电站内辐射环境下稳定运行。