一种硅单晶辐照热中子注量在线监测信号刻度方法

    公开(公告)号:CN119324085A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202411166859.X

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明提供了一种硅单晶辐照热中子注量在线监测信号刻度方法,涉及中子辐照嬗变掺杂质量控制技术领域,目的是实现准确性高、经济性好、灵活性高且数据反馈速度快,包括以下步骤:选取刻度用铝模拟体;确定刻度用硅单晶体与刻度用铝模拟体的刻度关系因子比值关系;选取与待辐照硅单晶体尺寸一致的再刻度用铝模拟体入堆辐照;确定再刻度用铝模拟体的刻度关系因子;获取待辐照硅单晶体的刻度关系因子;采集待辐照硅单晶体在入堆辐照过程的在线监测信号电流值,获取待辐照硅单晶体的辐照热中子注量。本发明具有处理高效、准确且经济性好的优点。

    一种用于单晶硅辐照孔道中子注量率分布测量试验装置

    公开(公告)号:CN118248357A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410325366.X

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种用于单晶硅辐照孔道中子注量率分布测量试验装置,包括固定组件、支撑组件,还包括周向探测器安装件、轴向探测器安装件、径向探测器安装件,分别用于安装探测器;固定组件由两个固定座组成,支撑组件由多个沿两个固定座中心连线的轴向方向布置的支撑条组成,各支撑条的两端固定连接在固定座上;周向探测器安装件为由多个安装条相接形成的环形结构,周向探测器安装件与贯穿环形结构周面的支撑条固定连接;轴向探测器安装件与沿轴向的支撑条固定连接;径向探测器安装件与多个沿径向排列的支撑条相连接。本发明可一次同时测量单晶硅辐照孔道中子注量率的周向、轴向和径向分布,提高效率,降低成本。

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