公开(公告)号：CN117570773A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311536054.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 吴腾 ,  邓兴 ,  李哲 ,  杨再明 ,  杜金泽 ,  莫双荣 ,  张义科 ,  岳景辉 ,  王宇 ,  张先萌 ,  卓佳鑫

IPC: F41B6/00 ,  H01F7/06

Abstract: 本发明公开了一种可控硅控制的高效磁阻型发射器电路，涉及电磁发射及其驱动技术领域，发射单元用于将电能转换成磁能后发出，并将剩余磁能储存在储能电容中；充电单元，用于向储能电容充电；充电单元基于光电隔离器搭建的全桥结构构成；充电单元与发射单元连接；控制单元向充电单元提供电源；触发单元控制发射单元的启闭；在现有的电磁成形驱动技术上进行改进，将磁阻型发射器发射过程中的一部分能量回收至储能电容，同时实现线圈磁场的快速消退，避免弹丸受到反向拉力，提高能量利用效率；基于可控硅作为开关器件，进一步提升功率密度。