一种碳化硅陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN101386538A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200810224957.9

    申请日:2008-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅陶瓷的制备方法,具体为:采用固相烧结,将竹炭粉碎研磨后,与硅粉按质量比1∶3混合,将硅碳混合物与酚醛树脂按质量体积比为1∶1混合均匀;将混合物在140℃下预加热成型;在真空或者Ar气气氛状态下,将温度升高到设定的最终烧结温度进行高温烧结;保持温度30min,冷却制得SiC陶瓷材料。本发明利用竹材生物结构通过高温烧结而得到的碳化物材料,竹材在绝氧条件下进行炭化得到具有竹材孔隙结构的炭骨架,以此作为陶瓷相渗入和反应的生物模板,通过金属或者无机非金属物质渗入、烧结反应,使得到的陶瓷不仅具有竹材的精细结构,而且增加了反应面积,提高了合成速度,具有一般陶瓷制备方法无法比拟的优点。

Patent Agency Ranking