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公开(公告)号：CN111025375B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911351035.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明公开了一种高能中子照相用成像板及其制备方法，该方案包括有从上至下依次重叠设置的伽马过滤层、荧光层、支撑层和铁磁层，主要通过荧光粉制备、涂布以及成型三个步骤制备。该方案利用中子与含氢材料内的氢原子发生核反应产生反冲质子，反冲质子和成像板内的荧光存贮材料发生反应形成中子束流空间分布的潜像，此潜像可通过专用的成像板激光扫描设备读出，从而实现高能中子探测，填补了国内外的技术空白。
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公开(公告)号：CN107479086B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201710741201.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种光纤嵌入式高能中子转换屏的制备方法。该制备方法通过高速匀浆机完成基材的制备，并利用模具完成光纤的预置和基材的定型固化，再经过打磨制成转换屏。该制备方法具有设备简单、生产效率高、材料损耗小，产品质量好的优点。
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公开(公告)号：CN105321206A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510786374.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种中子层析成像旋转轴线偏摆角的误差补偿方法，本方法是基于平行束中子射线的投影几何对称性原理，将样品360度旋转范围内的投影数据进行叠加获得具有唯一对称轴的合成投影图像，合成投影图像的对称轴即为样品旋转轴线的投影线；进一步统计出合成投影图像的像素值梯度角直方图，该直方图分布为一偶函数。求取该偶函数的对称中心，该对称中心位置对应的梯度角即为旋转轴线的偏摆角。将测量所得的偏摆角作为修正参数引入到重建算法中，即可实现对旋转轴线偏摆角的误差补偿，从而保证样品各重建断层清晰度的一致，有效提高重建精度。
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公开(公告)号：CN103077761A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310032331.9
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G21K4/00
Abstract: 本发明提供了一种热中子荧光屏及其制备方法。本发明的热中子荧光屏，是利用中子与荧光屏内的锂六原子发生核反应产生阿尔法离子，阿尔法离子在荧光材料内沉积能量激发荧光实现中子探测。热中子荧光屏由荧光材料ZnS（Ag）、LiF6粉末以及粘合剂三部分组成。目前用于热中子照相的转换屏包括金属屏、锂玻璃等。中子荧光屏的成像分辨率和抗伽马信号干扰能力远强于锂玻璃等热中子照相转换屏，在高通量、强伽马本底和高分辨率热中子照相领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111103617A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911351141.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明公开了一种热中子照相用成像板及其制备方法，该方案包括有从上至下依次重叠设置的伽马过滤层、荧光层、支撑层和铁磁层，主要通过荧光粉制备、涂布以及成型三个步骤制备。该方案利用中子与成像板内的硫氧化钆反应产生次级粒子，次级粒子和成像板内的荧光存贮材料发生反应形成中子束流空间分布的潜像，此潜像可通过专用的成像板激光扫描设备读出，从而实现热中子探测，填补了国内外的技术空白。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103113670B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310034101.6
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: C08L23/12 , C08L23/08 , C08K9/00 , C08K3/30 , B29B9/06 , B29C43/02 , B29C43/58 , B29C35/02 , G21K4/00
Abstract: 本发明提供了一种快中子荧光屏及其制备方法，本发明的快中子荧光屏原料按重量百分比组成为：聚丙烯14%～16％；乙烯-醋酸乙烯共聚物4%～6％；增韧剂4%～6％；硫化锌荧光粉70%～75％；偶联剂1%～2%。本发明提供了一种具有低成本、低伽马噪声干扰、高分辨率等优点的快中子荧光转换屏，能够克服现有快中子转换屏在低准直比高伽马本底条件下成像质量差的缺点，本发明的快中子荧光屏具有低伽玛噪声干扰，分辨率较高等特点。
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公开(公告)号：CN103113670A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310034101.6
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: C08L23/12 , C08L23/08 , C08K9/00 , C08K3/30 , B29B9/06 , B29C43/02 , B29C43/58 , B29C35/02 , G21K4/00
Abstract: 本发明提供了一种快中子荧光屏及其制备方法，本发明的快中子荧光屏原料按重量百分比组成为：聚丙烯14%～16％；乙烯-醋酸乙烯共聚物4%～6％；增韧剂4%～6％；硫化锌荧光粉70%～75％；偶联剂1%～2%。本发明提供了一种具有低成本、低伽马噪声干扰、高分辨率等优点的快中子荧光转换屏，能够克服现有快中子转换屏在低准直比高伽马本底条件下成像质量差的缺点，本发明的快中子荧光屏具有低伽玛噪声干扰，分辨率较高等特点。
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公开(公告)号：CN105321206B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510786374.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种中子层析成像旋转轴线偏摆角的误差补偿方法，本方法是基于平行束中子射线的投影几何对称性原理，将样品360度旋转范围内的投影数据进行叠加获得具有唯一对称轴的合成投影图像，合成投影图像的对称轴即为样品旋转轴线的投影线；进一步统计出合成投影图像的像素值梯度角直方图，该直方图分布为一偶函数。求取该偶函数的对称中心，该对称中心位置对应的梯度角即为旋转轴线的偏摆角。将测量所得的偏摆角作为修正参数引入到重建算法中，即可实现对旋转轴线偏摆角的误差补偿，从而保证样品各重建断层清晰度的一致，有效提高重建精度。
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公开(公告)号：CN106841251A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710255421.2
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种中子照相用样品夹具，目的在于解决在进行中子照相时，将小样品直接放在底座上，小样品容易晃动，会造成成像模糊，而采用双面胶对小样品进行固定，容易导致易碎的小样品破损，且双面胶还可能造成样品污染的问题。本发明中，固定限位件通过与底座的条形孔相配合，能够使固定限位件相对底座移动，同时，通过定位连接件能实现固定限位件相对底座的固定，从而将固定限位件与底座连接在一起。样品放置在底座上，通过定位连接件使固定限位件中限位杆的位置固定，并利用至少三个限位杆实现对样品的夹紧。本发明具有较强的适应性，能极大节省样品夹具的制备成本。同时，本发明采用了多点定位的方式能对样品进行有效装夹和固定。
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公开(公告)号：CN103077761B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310032331.9
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G21K4/00
Abstract: 本发明提供了一种热中子荧光屏及其制备方法。本发明的热中子荧光屏，是利用中子与荧光屏内的锂六原子发生核反应产生阿尔法离子，阿尔法离子在荧光材料内沉积能量激发荧光实现中子探测。热中子荧光屏由荧光材料ZnS（Ag）、LiF6粉末以及粘合剂三部分组成。目前用于热中子照相的转换屏包括金属屏、锂玻璃等。中子荧光屏的成像分辨率和抗伽马信号干扰能力远强于锂玻璃等热中子照相转换屏，在高通量、强伽马本底和高分辨率热中子照相领域有很好的应用前景。
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