公开(公告)号：CN103288138A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310179386.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 阳雅丽 ,  胡凤萍 ,  肖伊琳 ,  鄢鹏 ,  沈毅 ,  李珍

IPC: C01G39/02

Abstract: 本发明公开了一种刺球状光致变色MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）配制0.05~3mol/L的钼酸盐溶液；（2）加入甲醛溶液于钼酸盐溶液中，用pH调节剂调节溶液pH至0.8~1.5，避光搅拌均化；（3）将均化后的反应溶液移至反应容器中，放入洗净的透明导电氧化物晶体基片，进行水热反应；（4）水热反应结束后，将反应体系冷却至室温后，将已镀膜的晶体基片从水热反应的容器中取出，水洗、醇洗、干燥后，即制得刺球状光致变色MoO3薄膜。本发明制得的MoO3薄膜在低功率的激发光源条件下能够产生良好的变色效果，改善了MoO3薄膜的光致变色性能。

公开(公告)号：CN103288138B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201310179386.2

申请日：2013-05-15

Applicant: 中国地质大学(武汉)

Inventor： 阳雅丽 ,  胡凤萍 ,  肖伊琳 ,  鄢鹏 ,  沈毅 ,  李珍

IPC: C09K9/00 ,  C01G39/02

Abstract: 本发明公开了一种刺球状光致变色MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）配制0.05~3mol/L的钼酸盐溶液；（2）加入甲醛溶液于钼酸盐溶液中，用pH调节剂调节溶液pH至0.8~1.5，避光搅拌均化；（3）将均化后的反应溶液移至反应容器中，放入洗净的透明导电氧化物晶体基片，进行水热反应；（4）水热反应结束后，将反应体系冷却至室温后，将已镀膜的晶体基片从水热反应的容器中取出，水洗、醇洗、干燥后，即制得刺球状光致变色MoO3薄膜。本发明制得的MoO3薄膜在低功率的激发光源条件下能够产生良好的变色效果，改善了MoO3薄膜的光致变色性能。