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公开(公告)号：CN115356851B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211024473.6
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供一种基于椭圆孔的高Q值硅基光子晶体环形腔优化方法，包括以下步骤：S1、选定完好的二维三角晶格光子晶体，并获取晶格周期和空气孔半径；S2、在光子晶体内按正六边形的形状去除若干个初始空气孔以形成环形腔；S3、以环形腔中心处为基准建立直角坐标系，并获取环形腔内部和外部各初始空气孔的位移；S4、对位于环形腔内边沿拐角处的各初始空气孔进行椭圆化处理以形成椭圆孔；S5、对剩余的各初始空气孔的孔径和位移进行逐一扫描优化处理，以使每一初始空气孔优化后的孔径和位移对所述环形腔的Q值影响均是最高的。本发明方法步骤简单，能够得到较高Q值的环形腔。
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公开(公告)号：CN115356851A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211024473.6
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国地质大学(武汉)
Abstract: 本发明提供一种基于椭圆孔的高Q值硅基光子晶体环形腔优化方法，包括以下步骤：S1、选定完好的二维三角晶格光子晶体，并获取晶格周期和空气孔半径；S2、在光子晶体内按正六边形的形状去除若干个初始空气孔以形成环形腔；S3、以环形腔中心处为基准建立直角坐标系，并获取环形腔内部和外部各初始空气孔的位移；S4、对位于环形腔内边沿拐角处的各初始空气孔进行椭圆化处理以形成椭圆孔；S5、对剩余的各初始空气孔的孔径和位移进行逐一扫描优化处理，以使每一初始空气孔优化后的孔径和位移对所述环形腔的Q值影响均是最高的。本发明方法步骤简单，能够得到较高Q值的环形腔。
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