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公开(公告)号:CN119060636A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411171277.0
申请日:2024-08-26
Applicant: 中国地质大学(北京)郑州研究院 , 中国地质大学(北京)
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土元素掺杂的单晶金刚石抛光液及其制备方法,旨在提供一种能够有效提高单晶金刚石抛光效率和表面质量的抛光液。该抛光液主要由稀土元素掺杂剂、化学机械抛光助剂、悬浮介质、表面活性剂、pH调节剂和稳定剂组成。通过优化的配方和制备方法,本发明的抛光液不仅提高了单晶金刚石的去除率,而且使得抛光后的金刚石表面更加光滑、平整,同时具有良好的稳定性和环境友好性。本发明的抛光液特别适用于单晶金刚石的超精密抛光,可广泛应用于光学、电子和机械加工等领域。与现有技术相比,本发明的抛光液具有更高的抛光效率和更好的表面质量,同时减少了抛光过程中的表面损伤,具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号:CN120041832A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510176089.5
申请日:2025-02-18
Applicant: 郑州大学 , 中国地质大学(北京)郑州研究院
IPC: C23F1/14
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶金刚石表面微纳图案的化学腐蚀剂及腐蚀方法。包括以下步骤:单晶金刚石表面处理,采用机械抛光进行粗抛和精抛;制备化学腐蚀剂,该化学腐蚀剂包括稀土氧化物、溶剂、分散剂和氧化剂;将抛光后的样品置于腐蚀剂中,设定加工条件;将腐蚀后的样品超声清洗,干燥,得到含有表面微纳图案的单晶金刚石。本发明的化学腐蚀工艺具有高选择性、高均匀性和无机械损伤的优势,能够实现对单晶金刚石表面形貌的精确调控,为高性能光电子器件、量子芯片及微纳传感器等领域提供可靠的制备手段。本发明工艺简便、成本可控,适用于单晶金刚石微纳结构的高效制备,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN119144235A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411227513.6
申请日:2024-09-03
Applicant: 中国地质大学(北京)郑州研究院
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶金刚石化学机械抛光的稀土抛光液及其制备方法与应用。该稀土抛光液包括稀土磨料、溶剂、分散剂和氧化剂;在稀土抛光液中,稀土磨料的质量浓度为0.1%~1%,分散剂的百分比浓度为1%~2%,氧化剂的摩尔浓度为0.5~1mol/L,溶剂是去离子水。本发明的制备工艺方法简单,发明的产品具有优异的抛光性能。
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公开(公告)号:CN117444716A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311019977.3
申请日:2023-08-14
Applicant: 中国地质大学(北京) , 中国地质大学(北京)郑州研究院 , 珀丽诗(河南)文化科技有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B19/22 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明旨在提供一种单晶金刚石抛磨方向自动寻优系统,它通过对不同晶面的加工过程确定和收集相应的抛磨数据,在不断的抛磨过程中完成数据库的数据搭建,进而在金刚石加工中确定最佳的抛磨方向和加工参数,通过应用自动化控制技术,实现抛磨方向的智能优化,从而提高抛磨质量、稳定性和生产效率。
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