公开(公告)号：CN104211076B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310219527.9

申请日：2013-06-04

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  赵同 ,  庄官政 ,  张吉初 ,  廖立兵

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了制备插层型有机蒙脱石的半干法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；将提纯的蒙脱石与改性剂、水混合后球磨处理。本发明的方法工艺简单、反应时间短、无废水排出、制备的有机蒙脱石层间距大、晶格规整度好。

公开(公告)号：CN104211076A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310219527.9

申请日：2013-06-04

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 张泽朋 ,  赵同 ,  庄官政 ,  张吉初 ,  廖立兵

IPC: C01B33/44

Abstract: 本发明公开了制备插层型有机蒙脱石的半干法，该方法包括以下步骤：提纯蒙脱石；将提纯的蒙脱石与改性剂、水混合后球磨处理。本发明的方法工艺简单、反应时间短、无废水排出、制备的有机蒙脱石层间距大、晶格规整度好。