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公开(公告)号：CN101478634B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810240593.3
申请日：2008-12-25
Abstract: 本发明公开了一种非制冷阵列式红外图像传感器，属于红外图像传感器制备技术领域。该传感器包括一筒状真空封装的红外图像传感器结构，其包括传感器芯片、管帽和管座，传感器芯片粘接在管座上，管帽和管座通过真空封装结合成一体，所述传感器芯片的压焊丝通过管座的引线被引出，所述管座采用金属材料，在管座下方固定连接一半导体制冷片，该半导体制冷片嵌入到电极引出印刷电路板上，所述电极引出印刷电路板与管座固定连接，在连接处设有绝缘膜片，管座上的引线连接在电极引出印刷电路板上。本发明使用半导体制冷片作为冷源，可保证红外图像传感器吸收的红外能量迅速散去；提高了非制冷阵列式红外图像传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN107628587B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710857898.8
申请日：2017-09-21
Abstract: 本发明提供一种多级电热驱动MEMS执行器，包括一衬底和位于该衬底上的多级驱动单元，所述多级驱动单元的每一级驱动单元都包括一驱动端、一宽梁和一窄梁；所述宽梁和窄梁处于平行于所述衬底的同一平面内，一端共同连接于所述驱动端，另一端分别连接一支点；第一级驱动单元的支点固定于所述衬底上，并作为用于给第一级驱动单元供电的供电点；从第二级驱动单元算起的任意一级驱动单元的两个支点通过绝缘连接结构共同刚性连接于相邻上级驱动单元的驱动端，且每一支点还各连接一柔性供电结构的一端，所述柔性供电结构的另一端作为给所在级驱动单元供电的供电点。
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公开(公告)号：CN107628587A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710857898.8
申请日：2017-09-21
Abstract: 本发明提供一种多级电热驱动大位移大转角MEMS执行器，包括一衬底和位于该衬底上的多级驱动单元，所述多级驱动单元的每一级驱动单元都包括一驱动端、一宽梁和一窄梁；所述宽梁和窄梁处于平行于所述衬底的同一平面内，一端共同连接于所述驱动端，另一端分别连接一支点；第一级驱动单元的支点固定于所述衬底上，并作为用于给第一级驱动单元供电的供电点；从第二级驱动单元算起的任意一级驱动单元的两个支点通过绝缘连接结构共同刚性连接于相邻上级驱动单元的驱动端，且每一支点还各连接一柔性供电结构的一端，所述柔性供电结构的另一端作为给所在级驱动单元供电的供电点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101439841A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810240594.8
申请日：2008-12-25
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外图像传感器芯片，属于红外图像传感器的制备技术领域。该非制冷红外图像传感器芯片包括一传感器基片，在所述传感器基片上集成若干个红外敏感像素单元阵列，每个红外敏感像素单元包括一组弹性悬挂梁和一红外敏感谐振体，所述弹性悬挂梁通过锚点固定在传感器基片上，红外敏感谐振体与上述弹性悬挂梁相连，所述红外敏感谐振体由谐振膜片和激振电极构成，在所述谐振膜片上局部叠置一与谐振膜片的热膨胀系数不同的红外敏感材料层。本发明红外敏感像素单元采用红外敏感谐振体，工艺简单，易于获得较高的成品率，实现了在一个芯片上制造阵列式非制冷红外图像传感器。
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公开(公告)号：CN101478634A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810240593.3
申请日：2008-12-25
Abstract: 本发明公开了一种非制冷阵列式红外图像传感器，属于红外图像传感器制备技术领域。该传感器包括一筒状真空封装的红外图像传感器结构，其包括传感器芯片、管帽和管座，传感器芯片粘接在管座上，管帽和管座通过真空封装结合成一体，所述传感器芯片的压焊丝通过管座的引线被引出，所述管座采用金属材料，在管座下方固定连接一半导体制冷片，该半导体制冷片嵌入到电极引出印刷电路板上，所述电极引出印刷电路板与管座固定连接，在连接处设有绝缘膜片，管座上的引线连接在电极引出印刷电路板上。本发明使用半导体制冷片作为冷源，可保证红外图像传感器吸收的红外能量迅速散去；提高了非制冷阵列式红外图像传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101439841B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810240594.8
申请日：2008-12-25
IPC: G01J5/44
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外图像传感器芯片，属于红外图像传感器的制备技术领域。该非制冷红外图像传感器芯片包括一传感器基片，在所述传感器基片上集成若干个红外敏感像素单元阵列，每个红外敏感像素单元包括一组弹性悬挂梁和一红外敏感谐振体，所述弹性悬挂梁通过锚点固定在传感器基片上，红外敏感谐振体与上述弹性悬挂梁相连，所述红外敏感谐振体由谐振膜片和激振电极构成，在所述谐振膜片上局部叠置一与谐振膜片的热膨胀系数不同的红外敏感材料层。本发明红外敏感像素单元采用红外敏感谐振体，工艺简单，易于获得较高的成品率，实现了在一个芯片上制造阵列式非制冷红外图像传感器。
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公开(公告)号：CN101659389A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910089421.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 中国传媒大学
Abstract: 本发明公开了一种光读出红外传感器像元芯片的光刻方法，属于红外焦平面阵列传感器的制备技术。该方法包括：在光读出红外传感器像元基片上淀积一层金属材料，该金属材料为双材料梁的上层材料；第一次光刻，为反光板区金属图形，腐蚀、再淀积一层反光板表面金属材料；然后第二次光刻，为双材料梁和反光板的金属图形，刻蚀，形成双材料梁的上层结构和反光板表面金属结构；最后，第三次光刻，为除双材料梁和反光板以外的梁结构和像元框架结构，以第三次光刻的光刻胶和第二次光刻形成的金属结构为掩模，刻蚀，形成光读出红外传感器像元芯片的表面结构。本发明可有效避免套刻偏差造成的像元灵敏度下降和噪声增加等问题。
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公开(公告)号：CN101659389B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910089421.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 中国传媒大学
Abstract: 本发明公开了一种光读出红外传感器像元芯片的光刻方法，属于红外焦平面阵列传感器的制备技术。该方法包括：在光读出红外传感器像元基片上淀积一层金属材料，该金属材料为双材料梁的上层材料；第一次光刻，为反光板区金属图形，腐蚀、再淀积一层反光板表面金属材料；然后第二次光刻，为双材料梁和反光板的金属图形，刻蚀，形成双材料梁的上层结构和反光板表面金属结构；最后，第三次光刻，为除双材料梁和反光板以外的梁结构和像元框架结构，以第三次光刻的光刻胶和第二次光刻形成的金属结构为掩模，刻蚀，形成光读出红外传感器像元芯片的表面结构。本发明可有效避免套刻偏差造成的像元灵敏度下降和噪声增加等问题。
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