公开(公告)号：CN107807379A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710954429.8

申请日：2017-10-13

Applicant: 中国人民解放军海军工程大学

Inventor： 朱敏 ,  杨永新 ,  黄桂 ,  王丽婷 ,  王宋 ,  赵大磊 ,  马敬伟 ,  徐子剑 ,  詹维

IPC: G01T3/02

CPC classification number: G01T3/02

Abstract: 本发明涉及一种钚材料γ辐射场计算方法，包括如下步骤：分析钚材料中的放射性核素，以及可能发射的射线；分析钚材料各放射性核素发射的γ射线能量和强度，综合考虑各放射性核素比例，计算得出裂变γ出射率和表面出射率；通过对钚中含有的放射性核素特性、射线特性和结构材料的分析，计算得出钚材料外γ射线空气吸收剂量率。

公开(公告)号：CN107807378A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710954428.3

申请日：2017-10-13

Applicant: 中国人民解放军海军工程大学

Inventor： 朱敏 ,  杨永新 ,  王丽婷 ,  黄桂 ,  王宋 ,  赵大磊 ,  马敬伟 ,  詹维 ,  徐子剑

IPC: G01T3/02

CPC classification number: G01T3/02

Abstract: 本发明涉及钚材料中子辐射场计算方法，包括如下步骤：分析高浓缩钚材料中的放射性核素，以及可能产生的中子；分析高浓缩钚材料中子产生机理，分别计算得出钚同位素自发裂变中子产额、钚α衰变过程放出的α通过(α，n)反应的中子产额；分析中子通过单位厚度材料时，从高于某能量阈的中子群中分出来而进入较低能量的中子群中支的几率，基于分出截面理论，计算得出高浓缩钚中子剂量当量率。